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?福大AFM: Ga摻雜策略功勞大!助力NiTiO3在可見光照射下實現(xiàn)整體水分解

團(tuán)隊將鎵(Ga)被摻雜到NiTiO3(Ga-NTO)晶體中以提高光生電荷載流子密度,在可見光下實現(xiàn)了高效的光催化OWS活性。

催化全水分解(OWS)生產(chǎn)氫燃料是轉(zhuǎn)換和儲存太陽能的一種有前景的策略。然而,只有少數(shù)光催化劑對OWS具有活性(包括 TiO2、SrTiO3、GaN:ZnO、氮化碳等),并且其中許多具有較大的帶隙,只有在紫外線(UV)照射下才具有活性。因此,設(shè)計并制備一種能在可見光下高效催化OWS的光催化劑具有重要意義。
近日,福州大學(xué)王心晨林偉方元行等將鎵(Ga)被摻雜到NiTiO3(Ga-NTO)晶體中以提高光生電荷載流子密度,在可見光下實現(xiàn)了高效的光催化OWS活性。
?福大AFM: Ga摻雜策略功勞大!助力NiTiO3在可見光照射下實現(xiàn)整體水分解
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對于HER和OER,Ga-NTO顯示出改進(jìn)的光催化性能。此外,研究人員還將Co和Pt基助催化負(fù)載到Ga-NTO用于OWS,在可見光照射(420 nm)下,H2和O2的釋放速率分別為1.81 μmol h-1和0.90 μmol h-1,AQY約為0.18%,并且這種性能至少可以保持130小時;在紫外光(365 nm)下導(dǎo)致更高的OWS活性,AQY達(dá)到0.85%。
?福大AFM: Ga摻雜策略功勞大!助力NiTiO3在可見光照射下實現(xiàn)整體水分解
實驗結(jié)果和理論計算表明,Ga1-NTO的金屬-O在摻雜位點(diǎn)的鍵長延長了≈0.1 ?,通過用Ga離子代替Ti離子,可以將淺受體誘導(dǎo)到附近的CBM中,從而改善電荷擴(kuò)散長度;原始NTO的空穴大多均勻分布在Ni上而在相鄰的O上比例很小,CBM附近的雜質(zhì)態(tài)主要位于與Ga相鄰的Ni原子上,這種現(xiàn)象是主要是由于電子從相鄰的Ni轉(zhuǎn)移到電子不足的Ga以及摻雜引起的,并且費(fèi)米能級附近的雜質(zhì)態(tài)俘獲了電子,從而減少了光生電荷復(fù)合并增加了電荷載流子的壽命。總的來說,這項研究提供了一種有效的摻雜策略以將小帶隙光催化劑應(yīng)用于OWS。
A Ga Doped NiTiO3 Photocatalyst for Overall Water Splitting under Visible Light Illumination. Advanced Functional Materials, 2022. DOI: 10.1002/adfm.202208101

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