圖2. Si@PAA-DA/PVA的力學性能表征結果,復合電極(Si@PAA-DA/PVA)在0.2 A g-1的條件下,經過100個循環(huán)后,表現出73%的容量保持率。即使在4 A g-1的情況下,所獲得的硅電極在500次循環(huán)后仍然表現出令人滿意的1974.1 mAh g-1的容量。因此,作者認為這種”多級緩沖”策略的組合展示了對硅和其他具有較大體積波動的電極材料的新設計靈感。
圖3. Si@PAA-DA/PVA的電化學性能A Multilevel Buffered Binder Network for High-Performance Silicon Anodes. ACS Energy Letters 2022. DOI: 10.1021/acsenergylett.2c02030