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黃富強/黃健/方裕強AFM:用于穩定鉀儲存的 1T''' MoS2 均質插層化學和超低應變

黃富強/黃健/方裕強AFM:用于穩定鉀儲存的 1T''' MoS2 均質插層化學和超低應變
插層負極由于具有良好的層狀結構,其循環性能通常優于鋰或鈉儲存的合金負極和轉化負極。然而,對于更大的鉀調節,這些插層負極通常經歷巨大的層膨脹和結構扭曲,導致嚴重的容量衰退。
黃富強/黃健/方裕強AFM:用于穩定鉀儲存的 1T''' MoS2 均質插層化學和超低應變
在此,中國科學院上海硅酸鹽研究所黃富強研究員、黃健研究員以及方裕強等人發現1T”’ MoS2(從1T MoS2扭曲而來) 在層中具有角共享Mo3三角三聚體,表現出比2H MoS2更短的Mo-Mo距離,這確保了快速電子轉移和均勻的K+嵌入。
此外,1T”’ MoS2的褶S層提供了不同的活性位點,部分不可分離的K+被認為是一個支柱,以削弱界面應變,實現保持層狀結構。
通過原位表征和DFT計算證明了嵌入的K+均勻地分布在層間,并誘導從1T”’ MoS2到1T’ MoS2的相變,檢測到3.5%的超低層膨脹率(在K+脫出后)。
結果顯示,1T”’ MoS2在0.2C時表現出125mAhg-1的容量,并且1C的條件下500次循環后沒有容量衰減。此外,將其用作鉀雙離子電池 (KDIB)的負極時,1T”’ MoS2實現了40 mAhg-1的容量,250個周期后具有98%容量保持率。
黃富強/黃健/方裕強AFM:用于穩定鉀儲存的 1T''' MoS2 均質插層化學和超低應變
圖1. 電池性能
總之,該工作通過理論和實驗研究揭示了1T”’ MoS2中自適應的金屬Mo-Mo鍵和褶S層,導致了電子的快速傳遞和K+的均勻嵌入,而且不可逆嵌入的K+導致循環過程中的微小的層膨脹和結構應變。電化學性能測試結果表明,0.2C時1T”’ MoS2的容量為125 mAhg-1,在1C下循環500次后沒有容量衰減。
此外,組裝的1T”’ MoS2//MCMB K-DIB全電池在250次循環后表現出98%的優異容量保留率。這項工作提供一個新型的插層負極和穩定鉀離子存儲的設計策略。
黃富強/黃健/方裕強AFM:用于穩定鉀儲存的 1T''' MoS2 均質插層化學和超低應變
圖2. DFT計算
Homogeneous Intercalation Chemistry and Ultralow Strain of 1T’’’ MoS2 for Stable Potassium Storage, Advanced Functional Materials 2023 DOI: 10.1002/adfm.202306550

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