他,發(fā)表第57篇Angew!直接以氨氣和甲烷為原料,合成氮摻雜碳! 2023年10月4日 上午12:31 ? 頭條, 百家, 頂刊 ? 閱讀 22 成果簡介 福州大學王心晨教授、方元行副教授等人采用等離子體增強化學氣相沉積(PE-CVD)技術,以NH3和CH4氣體為前驅(qū)體合成氮摻雜碳材料(NDC)。重要的是,NDC在沒有任何助催化劑的情況下能夠有效地用作光催化劑。例如,NDC可用于光催化胺氧化反應,實現(xiàn)亞胺的選擇性合成,同時通過光還原反應合成過氧化氫(H2O2)。 作者利用原位傅里葉變換紅外(i-FTIR)研究了NDC光氧化還原反應的活性位點,并通過密度泛函理論(DFT)計算證實了反應的詳細機理。研究發(fā)現(xiàn),C和N位點分別負責還原和氧化反應。 該研究代表了從氣態(tài)前驅(qū)體合成NDC光催化劑的一個先進例子。該發(fā)現(xiàn)也將揭示地球的化學演化。相關工作以《Plasma-Enhanced Chemical-Vapor-Deposition Synthesis of Photoredox-Active Nitrogen-doped Carbon from NH3 and CH4 Gases》為題在《Angewandte Chemie International Edition》上發(fā)表論文。值得注意的是,這也是王心晨教授在《Angewandte Chemie International Edition》上發(fā)表的第57篇論文。 往期報道可見:他,剛剛發(fā)表第56篇Angew! 圖文導讀 圖1. 由NH3和CH4氣體通過PE-CVD工藝合成NDC 地球最初的大氣層富含氨(NH3)和甲烷(CH4)。為了了解大氣的演變,利用這兩種氣體制備光氧化還原活性氮摻雜碳(NDC)。NDC光催化劑可能在太古宙地質(zhì)和大氣化學的發(fā)展中發(fā)揮重要作用。 本研究描述了NH3和CH4氣體直接合成NDC的過程。通常,將NH3和CH4氣體泵入反應室,在約170℃的等離子體效應下將氣體解離成活性物質(zhì),形成亞穩(wěn)態(tài)分子片段,包括CxNyHz、CxHy等。這些片段通過熱處理聚合形成具有sp2和sp3 C-C鍵、C-N鍵和缺陷的三維NDC納米團簇。光催化劑樣品記為NDC1、NDC2、NDC3、NDC4,分別表示氣體前驅(qū)體中NH3的比值為0.14、0.16、0.2、0.25。 實際上,早期研究已證實,氮化碳基半導體是一個優(yōu)異的光催化劑,這與它的強共價鍵使其結構可以穩(wěn)定幾億年有關。通常,氮化碳可以通過退火富含碳和氮元素的分子來合成。另一方面,追溯到太古時代,地球的大氣實際上充滿了含有C和N元素的化合物,即NH3和CH4氣體。 同時,遠古時期,地球上遍布活火山,大氣溫度在大約0°C到500°C之間。屆時如果沒有臭氧層,太陽輻射的能量將強烈地伴隨著等離子體效應。因此,伴隨著這些條件,可能早在遠古時代,地球上就早已合成這類氮化碳材料。 圖2. NDC光催化劑的光譜表征 用FTIR進一步研究了NDC樣品的化學結構。在光譜中(圖2a),所有的NDC樣品顯示出相似的模式。在2850- 2958和1350-1480 cm-1范圍內(nèi)的典型吸收屬于C-Hx拉伸振動,這些峰也可以從原始C粉中觀察到。在3200-3500和1627 cm-1的吸收峰分別是典型的N-H和C=N拉伸振動。此外,由于存在C≡N鍵,在2200 cm-1處觀察到弱吸收峰。相比之下,所有這些NDC峰都沒有從C粉末中觀察到。 拉曼光譜也被用于研究NDC材料(圖2b)。兩個峰分別位于1350 cm-1(D峰)和1580 cm-1(G峰)。注意到,隨著NH3氣體流量的增加,G峰的強度增加,這表明PE-CVD對NDC合成有很好的控制。 采用固態(tài)交叉極化魔角旋轉(zhuǎn)13C核磁共振(CP/MAS 13C-NMR)對NDC樣品進行了研究。在125-175 ppm和15-38 ppm的兩個峰值分別屬于sp2 C和sp3 C。在120.3和170.2 ppm處的兩個峰分別是由于氰基中的C原子和鄰近的氰基,證實了C≡N單位的形成。在125-175 ppm處,峰值強度隨氮含量的增加逐漸增大。 對NDC樣品進行X射線光電子能譜(XPS)分析,結果如圖2d所示。由于在PE-CVD系統(tǒng)中不可避免引入O2污染,NDC中氧的含量約為7.9%。高分辨率C 1s和N 1s XPS光譜分別如圖2e和2f所示。在N 1s光譜中,在398.38、399.4和400.3 eV的三個峰分別為吡啶N、吡啶N和石墨N。注意到隨著NH3含量的增加,N 1s峰的強度逐漸增大。 圖3. NDC的光催化胺氧化、O2還原能力 在可見光照射下,NDC在O2氣氛下進行光氧化還原反應(圖3a)。在沒有任何助催化劑的情況下,氧化還原反應很容易實現(xiàn)。具體來說,在氧化反應中,光生空穴驅(qū)動了N-芐基芐基芐胺(NBBA)的氧化反應。同時,光生電子被驅(qū)動還原O2生成?O2–,并進一步與質(zhì)子相互作用生成H2O2。NDC光催化劑和C實現(xiàn)了NBBA和H2O2的產(chǎn)率,如圖3b所示。NDC2達到了最佳性能,選擇性和轉(zhuǎn)化率均大于99%。 圖4. 原位FTIR光譜 進一步通過原位FTIR光譜來了解表面反應。圖4a為室溫條件下NBBA和BA的FTIR光譜。明確劃分了三個區(qū)域。具體來說,4000~2500 cm-1范圍內(nèi)的峰歸屬于N-H和C-H的彎曲振動。2500~1900 cm-1范圍內(nèi)的峰歸屬于C≡N、C=C=C、C=C=O。1900~650 cm-1范圍內(nèi)的峰為C=N、C=C、C-C、C-N和C=O。通過向NDC2光催化劑上輸送O2氣體,在1750 cm-1處觀察到一個特征峰,表明O2分子被吸附在C位點上。相比之下,如果輸入的是Ar氣體而不是O2,則沒有觀察到任何這樣的峰(圖4b)。 當BA蒸汽與NDC光催化劑一起進入反應腔室時,觀察到2292 cm-1、2250 cm-1和2180 cm-1處的峰,這些峰分別屬于N=C=O、C≡N和C=C=O的拉伸振動。另外,在1976~1810 cm-1、754 cm-1和706 cm-1形成的峰也屬于C-H和C=C的伸縮振動。因此,已知BA與N原子相互作用,形成-C≡N、-C=N和-C-N基團。 在光照下,隨后的表面反應如圖4c和4d所示。相應的,光氧化還原反應的整體途徑如圖5a所示。O2和BA首先吸附在NDC2的C和N位點上(步驟1、2),C-N和N-H峰的強度分別在784和3375 cm-1處逐漸減弱,說明?O2–是在光照下形成的(步驟3)。 同時,C-O、C=N和O-H在1000、1076、1575和3309 cm-1處的拉伸振動峰值強度增加。1534 cm-1處的C-H彎曲振動峰強度逐漸增大,說明BA在N位點被活化為BA陽離子自由基(步驟3)。該峰的同時變化也表明質(zhì)子與?O2–偶聯(lián)形成H2O2,質(zhì)子來自BA(步驟4)。 另外,可以觀察到,在2292、2250、2180 cm-1處,N=C=O、C≡N、C=C=O的拉伸振動強度逐漸減小。這一觀察結果被認為是H2O2從表面解吸,催化劑完成循環(huán)(步驟4)。此外,亞胺中間體(步驟5)與另一個BA分子偶聯(lián)形成NBBA(步驟6、7)。 圖5. DFT計算 本文通過密度泛函理論(DFT)計算進一步證實了機理(圖5)。O2和BA分子會吸附在NDC光催化劑中C和N位點的活性位點上,結合距離分別為4.65和3.14 ?。O2-NDC和BA-NDC配合物的吸附能Eabs分別為-1.08和-0.31 eV。這些結果表明吸附在理論上是允許的,相應的,反應途徑用計算的能壘表示(圖5d)。該途徑證實了光生空穴和電子分別產(chǎn)生NBBA和H2O2的途徑。DFT計算得到的活性位點和反應路徑與原位FTIR結果一致。 文獻信息 Plasma-Enhanced Chemical-Vapor-Deposition Synthesis of Photoredox-Active Nitrogen-doped Carbon from NH3 and CH4 Gases,Angewandte Chemie International Edition,2023. https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/anie.202307236 原創(chuàng)文章,作者:Gloria,如若轉(zhuǎn)載,請注明來源華算科技,注明出處:http://www.zzhhcy.com/index.php/2023/10/04/8da8051e5f/ 催化 贊 (0) 0 生成海報 相關推薦 北化工?邵明飛Nature子刊:Hads動態(tài)平衡不可忽視!促進CoP-CNS高效電化學硝酸還原制氨 2023年10月15日 電池頂刊集錦:潘鋒、成會明、李寶華、金鐘、李馳麟、郭孝東、曲晉、羅光富等最新成果 2023年10月23日 伯克利國家實驗室/北大ACS Energy Lett.:Li2MO3中不同的氧氧化還原活性 2023年10月23日 ?Small:Co/Al改性1T-MoS2/rGO助力海水中萃取鈾和HER 2023年10月10日 JACS:Rh1O5團簇上的SA高溫催化甲烷產(chǎn)生合成氣 2023年10月10日 湖大譚勇文?Nano Letters: 表面鈷合金策略起大作用,實現(xiàn)納米多孔1T ReSe2與TM可擴展原位摻雜 2022年8月31日