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中南大學Nano Letters:自重構策略!V-NiS實現(xiàn)高效水氧化

中南大學Nano Letters:自重構策略!V-NiS實現(xiàn)高效水氧化
調整電催化劑的電活性表面種類,是實現(xiàn)高效析氧反應(OER)的重大挑戰(zhàn)?;诖耍?strong>中南大學潘軍研究員和譚鵬飛博士等人報道了一種創(chuàng)新的原位浸出策略,通過陽離子氧化調節(jié),以實現(xiàn)這些催化劑的活性自重構。釩(V)作為陽離子被引入硫化鎳(Ni3S2)中,在低氧化電位下被氧化,導致隨后浸出到電解質中并引發(fā)自重構(記為V-NiS)。
通過operando拉曼光譜發(fā)現(xiàn),從V-Ni3S2到Ni(OH)2再到NiOOH的結構演變?yōu)槿竭^渡。自重構的V-NiS在電流密度為10 mA cm-2下僅需155 mV的超低過電位,優(yōu)于無V的Ni3S2和許多其他先進的催化劑。
中南大學Nano Letters:自重構策略!V-NiS實現(xiàn)高效水氧化
通過DFT計算,作者研究了自重構V的來源。態(tài)密度(DOS)研究表明,在費米能級附近的V-NiS的電子態(tài)明顯高于NiS,表明費米能級上元素的軌道雜化更大,從而促進了電荷轉移。V原子取代Ni原子導致電子重新分布,電荷密度的變化證明了這一點。特別是,電荷密度差等值線圖顯示了從Ni到S的定向電荷轉移,表明了Ni-S鍵的共價特征。
中南大學Nano Letters:自重構策略!V-NiS實現(xiàn)高效水氧化
當V取代Ni時,指向性減弱,表明V-S鍵表現(xiàn)出離子特征,更容易被氧化浸出。對比Ni-S鍵,V-S鍵更容易斷裂,從而促進了OER過程中自重構過程的啟動。摻入后V的Bader電荷遠高于取代后Ni的Bader電荷,顯示出電離程度有序增加,更有利于浸出。
此外,V原子的引入引起了周圍S原子之間電荷的重新分配,破壞了Ni3S2結構內部的對稱性,使其具有活性。
中南大學Nano Letters:自重構策略!V-NiS實現(xiàn)高效水氧化
Cationic Oxidative Leaching Engineering Modulated In Situ Self-Reconstruction of Nickel Sulfide for Superior Water Oxidation. Nano Lett., 2023, DOI: 10.1021/acs.nanolett.3c00885.

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