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李炫華教授Nature Energy！一個月內共發(fā)三篇Nature子刊！

成果介紹

多激子產生(MEG)，即由一個高能光子的吸收產生兩個或多個電子-空穴對，可以提高光吸收器件的效率。然而，在光催化制氫中，這種效應的證明仍然很少。此外，許多用于整體水分解的光催化系統(tǒng)都存在電荷載流子分離不良的問題。

西北工業(yè)大學李炫華教授展示了一種CdTe量子點/摻釩硫化銦(CdTe/V-In₂S₃)光催化劑，其具有特殊的內置電場和串聯能帶結構，足以有效地產生激子和分離載流子，允許MEG用于制氫。

通過CdTe的量子效應和V-In₂S₃的摻雜工程實現了可調諧的能帶結構，這導致CdTe/V-In₂S₃界面內置電場強度相對于原始CdTe/V-In2S3增強了14倍。我們報道了在350 nm光催化制氫的內量子效率為114%，證明了MEG效應的利用。該催化劑的太陽能轉化為氫氣的效率為1.31%。

相關工作以Internal quantum efficiency higher than 100% achieved by combining doping and quantum effects for photocatalytic overall water splitting為題在Nature Energy上發(fā)表論文。

值得注意的是，李炫華教授今年已在Nature Communications、Nature Energy上共發(fā)3篇文章，成果豐碩！

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圖文介紹

圖1. CdTe量子點和V-In₂S₃的能帶結構

本文合成了V摻雜量可調、CdTe量子點大小不同的CdTe/V-In₂S₃復合材料，以闡明摻雜和量子效應在光催化整體水分解中的作用。不同V摻雜量的V-In₂S₃樣品呈現由多個薄納米片組成的納米花狀結構。V-In₂S₃的XRD譜圖(圖1a)顯示了其具有In₂S₃立方相的特征峰。

利用XPS研究了V-In₂S₃的結構。在V 2p的XPS譜圖(圖1b)中，除了In-S峰外，還在517.26 eV處觀測到一個額外的V-S峰，表明V原子在In₂S₃晶格的In位點成功引入到In₂S₃納米結構中。V-S拉曼峰與In₂S₃的A_1g、E_g和B_2g特征峰一起出現并逐漸增強，證實V-In₂S₃中存在V摻雜。

量子點尺寸的增加導致其熒光發(fā)射峰值從570 nm紅移到623 nm(圖1d)，在365 nm紫外燈照射下顏色從綠色逐漸變?yōu)榧t色，證實了尺寸定制CdTe量子點的成功合成。隨著量子點尺寸的增大，吸收邊逐漸紅移，增強了光的收集。

利用UPS研究了所制備的CdTe量子點和V-In₂S₃能帶位置的變化。計算了CdTe量子點和V-In₂S₃的費米能級。V-In₂S₃的費米能級隨著V摻雜的增加而升高，而CdTe的費米能級隨著量子點尺寸的增加而降低(圖1f)。通過同時增加V摻雜和量子點大小，V-In₂S₃量子點與CdTe量子點之間的費米能級差異增大。

圖2. CdTe/V-In₂S₃光催化劑的形貌和結構

采用靜電自組裝方法將CdTe量子點固定在V-In2S3表面，制備了CdTe/V-In2S3復合材料。在CdTe-4.2/V-In₂S₃-3的拉曼光譜中觀察到V-In₂S₃的A_1g、E_g、B_2g和V-S峰，以及CdTe的橫向光學(TO)和縱向光學(LO)峰，表明CdTe-4.2/V-In₂S₃-3的成功合成。掃描和透射電子顯微鏡顯示了CdTe-4.2/V-In₂S₃-3的納米花形態(tài)(圖2b、c)。

利用HAADF-STEM技術研究了CdTe-4.2/V-In₂S₃-3的詳細原子構型。所選區(qū)域線廓強度的變化證實了In和V在In₂S₃晶格的共存(圖2e)。在高分辨率(HR)STEM圖像中觀察到晶格間距為0.19和0.27 nm，分別對應于In₂S₃的(440)面和CdTe的(411)面。這進一步證明CdTe-4.2已經穩(wěn)定地錨定在V-In₂S₃-3表面上。

圖3. CdTe/V-In₂S₃光催化劑的界面內置電場

用XPS對CdTe/V-In₂S₃的界面相互作用進行了表征。隨著量子點尺寸的增大或V摻雜的增加，CdTe/V-In₂S₃的In 3d XPS曲線和Cd 3d XPS曲線分別逐漸向更高和更低的結合能偏移(圖3a、b)。

這表明電子從V-In₂S₃向CdTe轉移，導致CdTe外層電子數量增加，導致CdTe的結合能變弱，V-In₂S₃的結合能變高。CdTe與V-In₂S₃之間的電子交換逐漸增加，在CdTe量子點尺寸為5.0 nm、V摻雜量為3.1%時達到最大值。

在能帶結構的基礎上進一步研究了這一問題。圖3c顯示了CdTe量子點與V-In₂S₃接觸前的能帶排列。由于V-In₂S₃的費米能級高于CdTe，電子從V-In₂S₃向CdTe轉移，直到它們之間的費米能級達到平衡，并在CdTe/V-In₂S₃異質結界面形成空間電荷區(qū)(圖3d)。

隨著量子點尺寸和V摻雜劑含量的增加，V-In₂S₃與CdTe之間的費米能級差逐漸增大，界面電子交換增強，這與XPS的結果一致。

增強的界面電子交換在CdTe/V-In₂S₃異質結內產生了一個擴展的空間電荷區(qū)，增加了內置電場強度(圖3e)。通過表面電壓和表面累積電子密度，計算了CdTe/V-In₂S₃的界面內置電場強度(圖3f)。

當量子點尺寸從2.8 nm增加到4.2 nm, V摻雜劑含量從0%增加到3.1%時，內置電場強度呈現與空間電荷區(qū)寬度相似的增加趨勢。CdTe-4.2/V-In₂S₃-3的最大內置電場強度是CdTe-2.8/V-In₂S₃-0的14.14倍。隨著量子點尺寸的進一步增大，V-In₂S₃-3和CdTe-5.0的能帶結構不匹配導致內置電場強度減小。

圖4. CdTe/V-In₂S₃光催化劑的界面載流子遷移動力學及MEG效應

基于單色光照射下的光電流密度，測量了CdTe/V-In₂S₃的入射光子電流效率(IPCE)和相應的IQE (IQE_pc)，直接評價了CdTe/V-In₂S₃的光電轉換效率。CdTe/V-In₂S₃在不同波長的IPCE圖與光學吸收結果一致(圖4a)。

隨著V摻雜的增加(從0%增加到3.1%)或量子點尺寸(從2.8 nm增加到4.2 nm)， IPCE值逐漸增大。CdTe-4.2/V-In₂S₃-3在350 nm波長下的IPCE為73.74%，這表明CdTe-4.2/V-In₂S₃-3具有良好的載流子轉移和分離性能。

當進一步增大量子點尺寸時，CdTe和V-In₂S₃能帶結構的不匹配明顯阻礙了CdTe/V-In₂S₃界面的電荷轉移和分離，顯著降低了IPCE。

隨著CdTe量子點尺寸的增加，CdTe/V-In₂S₃-3的IQE_pc曲線在量子點尺寸為2.8和3.9 nm時在總波長附近保持平緩，而在量子點尺寸為4.2和5.0 nm時呈上升趨勢。這一現象表明，當量子點尺寸超過4.2 nm時，CdTe量子點在高能光子照射下會產生磁疇效應。

更引人注目的是，CdTe-4.2/V-In₂S₃雜化體在350 nm處的IQE_pc值達到了118%，這表明CdTe/V-In₂S₃雜化體界面上強大的內置電場增強了激子提取力，從而有效地利用了MEG效應產生的多個激子。

進一步繪制了IQE_pc曲線與CdTe和V-In₂S₃帶隙的關系，以闡明CdTe/V-In₂S₃體系中的MEG效應(圖4c)。不同V摻雜的CdTe/V-In₂S₃的IQE_pc保持不變，并在入射光子能量超過2.75倍CdTe能帶能時逐漸增大。

考慮CdTe量子點大小與帶隙之間的關系(圖1f)，可以得出結論，當入射光子能量超過2.75倍CdTe帶隙時，CdTe量子點的MEG效應發(fā)生，從而顯著促進了雜化體內部的電荷傳遞和分離。

圖5. CdTe/V-In₂S₃光催化劑的光催化性能

采用CdTe/V-In₂S₃進行光催化整體劈水試驗。V-In₂S₃和CdTe分別作為析氫和析氧活性組分(圖1f)。以Pt和CoO_x為助催化劑。因此，在模擬太陽光照下，CdTe/V-In₂S₃可以同時從純水中以接近2:1的摩爾比析出H₂和O₂。

通過計算CdTe-4.2/V-In₂S₃-3的STH效率和AQY來評價其光催化整體水分解活性。CdTe-4.2/V-In₂S₃-3平均STH值高達1.31%(圖5c)。理論STH值與實驗STH值接近，進一步驗證了其優(yōu)異的光催化水分解活性。CdTe-4.2/V-In₂S₃-3在350 nm處AQY最高(73.25%)，高于大多數報道值。

根據上述結果，圖5f提出了光催化整體水分解機理。首先，CdTe和V-In₂S₃被光子或MEG效應激發(fā)，分別在V-In₂S₃和CdTe的CB和VB上產生足夠的光致電子和空穴。

CdTe的CB上的光生電子與V-In₂S₃的VB上的光生空穴重組，V-In₂S₃的CB上的光生電子與CdTe的VB上的光生空穴分別分離到Pt和CoO_x位點，參與氧化還原反應。在強的內電場、MEG效應和串聯能帶結構的協(xié)同作用下，光誘導電子和空穴被有效分離，在350 nm處IQE_hy達到114%，IQE_pc達到118%，具有良好的光催化整體水分解活性和穩(wěn)定性。

文獻信息

Internal quantum efficiency higher than 100% achieved by combining doping and quantum effects for photocatalytic overall water splitting，Nature Energy，2023.

https://www.nature.com/articles/s41560-023-01242-7

原創(chuàng)文章，作者：Gloria，如若轉載，請注明來源華算科技，注明出處：http://www.zzhhcy.com/index.php/2023/10/09/15e21b7c7e/

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