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?華東理工江浩/陳靈AFM:設(shè)計Se/N共摻雜硬碳納米管用于優(yōu)異的鉀存儲

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地球上豐富的硬碳具有更豐富的K存儲位點和比石墨更寬的層間距離,因此作為鉀離子電池(KIB)的負極材料而受到廣泛關(guān)注,但電化學(xué)可逆性較低。

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在此,華東理工大學(xué)江浩教授、陳靈等人通過將Se原子精確摻雜到碳邊緣和隨后與吡啶-N成鍵形成獨特的N-Se-C共價鍵,展示了具有局域電子構(gòu)型的新型Se/N共摻雜硬碳納米管(h-CNTs)。其中,Se/N共摻雜h-CNTs自支撐電極的具體制備過程如下:首先,將直徑約為25 nm的硒納米線合成為自犧牲模板。然后,可通過多巴胺在Se納米線表面的自聚合得到Se@聚多巴胺(PDA)核/殼納米線。在隨后的加熱過程中,Se逐漸氣化并被預(yù)碳化的PDA捕獲。

最后,在600 °C碳化后獲得Se/N共摻雜的h-CNTs。研究表明,d軌道上Se原子的強給電子能力提供了豐富的自由電子,有效地緩解了吡咯N-C鍵的電荷極化,有助于平衡K+的吸附/解吸,從而大大提高了可逆的K+存儲容量。

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圖1. Se/N共摻雜h-CNTs自支撐電極合成示意圖及表征

因此,組裝的Se/N共摻雜的h-CNTs自支撐負極在0.2 A g-1時可提供高達345 mAh g-1的可逆K+存儲容量。當以8.0 A g-1的電流密度循環(huán)2000次時容量仍保持在209 mAh g-1,對應(yīng)的容量保持率為93.3%。在循環(huán)過程中相應(yīng)的CE值始終超過 99.6%,循環(huán)后Se/N含量基本不變。更顯著的是,在1.5 ~ 12.4 mg cm-2重量范圍內(nèi),自支撐負極的重量容量沒有明顯變化,同時面積容量線性增加至最大值為4.06 mAh cm-2。此外,作者通過DFT計算、可視化operando拉曼映射和非原位XPS分析揭示了高度可逆的K+存儲機制,證實了Se/N共摻雜h-CNTs優(yōu)越的去鉀化可逆性和結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。總之,這項工作為提高硬碳的K+存儲性能及其相關(guān)的實際應(yīng)用提供了新的見解。

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圖2. Se/N共摻雜的h-CNTs自支撐負極的K+存儲性能

Engineering Se/N Co-Doped Hard CNTs with Localized Electron Configuration for Superior Potassium Storage, Advanced Functional Materials 2022. DOI: 10.1002/adfm.202211661

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