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Small:CZTS/CdS表面缺陷工程加速電子傳輸和調控產物選擇性

Small:CZTS/CdS表面缺陷工程加速電子傳輸和調控產物選擇性

銅基硫化物由于其優(yōu)異的光伏性能和與CO2還原電位良好的導帶對齊而被認為是用于光電化學(PEC)CO2還原的潛在光電陰極材料。然而,由于隨機的CO2還原反應途徑導致電荷轉移動力學緩慢和選擇性差,進而導致PEC效率低下。

新南威爾士大學的Rose Amal和郝曉靜等人對Cu2ZnSnS4(CZTS)/CdS光陰極進行簡易熱處理,在電極表面引入并調整S空位,該策略同時實現(xiàn)界面電荷轉移優(yōu)化和表面空位工程,為PEC CO2還原光陰極設計提供了新思路。

Small:CZTS/CdS表面缺陷工程加速電子傳輸和調控產物選擇性

作者在270℃下將Cu2ZnSnS4(CZTS)/CdS分別置于空氣(HA)和N2(HN)氣氛中處理。在不同的氣氛中熱處理可以調整電極表面的硫空位,從而得到對CO和醇的CO2還原選擇性。

在空氣中熱處理,CZTS/CdS表面的S空位可以通過氧(O摻雜)補充,從而產生更好的CO2和CO 吸附能力,提高CO2還原活性和對甲醇/乙醇的高選擇性。相反,通過在N2中熱處理,在電極表面會產生更多的S空位,這有利于表面CO解吸并產生更高的CO選擇性。

Small:CZTS/CdS表面缺陷工程加速電子傳輸和調控產物選擇性

對Cu2ZnSnS4(CZTS)/CdS光陰極熱處理能夠在CdS中的Cd和CZTS中的Cu/Zn之間促進元素相互擴散來改善CZTS/CdS異質界面,形成p-n結來增大內置電位、延長載流子壽命和抑制光生電荷復合。

Cu2ZnSnS4(CZTS)/CdS光陰極的電流密度(-0.75 mA cm-2, -0.6 V vs RHE)是Cu2ZnSnS4(CZTS)的三倍。

Accelerating electron-transfer and tuning product selectivity through surficial vacancy engineering on CZTS/CdS for photoelectrochemical CO2 reduction. Small, 2021.DOI: 10.1002/smll.202100496.

https://doi.org/10.1002/smll.202100496

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