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廣工大李運勇ACS Nano: 集成雙封裝Si結(jié)構(gòu)和致密工程實現(xiàn)超高體積/面積鋰存儲

廣工大李運勇ACS Nano: 集成雙封裝Si結(jié)構(gòu)和致密工程實現(xiàn)超高體積/面積鋰存儲
高理論容量的硅負(fù)極在鋰離子電池(LIB)中極具應(yīng)用前景。然而,其巨大的體積膨脹(~300%)和較差的導(dǎo)電性表明需要同時引入低密度導(dǎo)電碳和納米尺寸的硅來克服上述問題,但這又會導(dǎo)致體積性能下降。
廣工大李運勇ACS Nano: 集成雙封裝Si結(jié)構(gòu)和致密工程實現(xiàn)超高體積/面積鋰存儲
在此,廣東工業(yè)大學(xué)李運勇教授等人提出了一種雙封裝Si結(jié)構(gòu)和致密工程的集成策略,精心設(shè)計了一種Ti3C2Tx Mxene和石墨烯包裹的3D致密Si電極(HD-Si@Ti3C2Tx @G)。該電極是通過使用帶負(fù)電MXene和帶正電Si(聚二烯丙基二甲基氯化銨(PDDA)涂層)的原位靜電吸附,然后進(jìn)行自組裝、空氣干燥和退火制備的。
致密的HD-Si@Ti3C2Tx @G厚電極具有以下優(yōu)點:
(i)3D導(dǎo)電和彈性網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)不僅可以有效緩解Si的體積變化和粉化,還可以提供暢通無阻的離子/電子傳輸通道;
(ii)Ti3C2Tx MXene和石墨烯雙封裝Si結(jié)構(gòu)可極大提高Si負(fù)極的導(dǎo)電性和利用率;
(iii)添加少量石墨烯可實現(xiàn) HD-Si@Ti3C2Tx@G材料的高密度(1.6 g cm-3)和高電導(dǎo)率(151 S m-1),并保證良好的電解液滲透和穩(wěn)定的電極結(jié)構(gòu);
(iv)該致密厚電極可在電池系統(tǒng)中實現(xiàn)高面積/體積容量。
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圖1. 不同質(zhì)量負(fù)載HD-Si@Ti3C2Tx @G負(fù)極的電化學(xué)動力學(xué)分析
因此,該HD-Si@Ti3C2Tx @G負(fù)極在0.1 A g-1時具有5206 mAh cm-3的超高體積容量(質(zhì)量容量:2892 mAh g-1,負(fù)載:1.3 mg cm-2),在1.0 A g-1和17.9 mAh cm-2的大面積容量(負(fù)載:14 mg cm-2)下具有出色的長期循環(huán)穩(wěn)定性,可循環(huán) 800 次(每循環(huán)容量衰減約0.046%),優(yōu)于先前報道的先進(jìn)硅基負(fù)極和其他負(fù)極。
此外,以HD-Si@Ti3C2Tx @G為負(fù)極和NCM 811為正極組裝的全電池還提供了優(yōu)異的循環(huán)穩(wěn)定性,在0.2 A g-1下可循環(huán)100次,證實了該負(fù)極的實際應(yīng)用前景。
重要的是,作者通過原位TEM、非原位SEM、系統(tǒng)動力學(xué)和結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性分析清楚地揭示了高密度 HD-Si@Ti3C2Tx @G負(fù)極的優(yōu)異體積/面積性能的來源及構(gòu)效關(guān)系。這項工作展示了一種簡單可行的策略,通過集成雙封裝策略和致密工程來設(shè)計用于大規(guī)模致密儲能的超高體積/面積容量的合金負(fù)極。
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圖2. HD-Si@Ti3C2Tx @G負(fù)極鋰化/脫鋰過程中的微觀結(jié)構(gòu)和形態(tài)演變
Integrating Dually Encapsulated Si Architecture and Dense Structural Engineering for Ultrahigh Volumetric and Areal Capacity of Lithium Storage, ACS Nano 2022. DOI: 10.1021/acsnano.1c11298

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