由于薄且橫向尺寸大,二維硅材料作為鋰離子電池(LIBs)的高性能負極具有非常廣闊的前景。然而,超薄二維硅納米片(Si-NSs)的簡便合成及其有效應用仍是一個巨大挑戰。哈爾濱工業大學杜春雨等采用獨特的蝕刻還原法獲得了平均厚度<2 nm的超薄Si-NSs。圖1 材料表征首先通過對Al2O9Si3蒙脫土進行HCl蝕刻,然后進行鎂熱還原,可合成平均厚度小于2 nm的超薄Si-NSs。隨后,將這些Si-NSs高度分散在石墨烯上,通過靜電自組裝過程可獲得Si-NSs@rGO納米復合材料。這是迄今為止報道的最薄厚度,它可提供短而直接的離子傳輸途徑,從而顯著促進鋰化-脫鋰過程的可逆性。此外,超薄性質極大地抑制了由體積變化引起的應力/應變,從而可減輕充放電過程中的粉化。同時,石墨烯和Si-NSs的緊密組裝有效地提高了電子導電性,防止了高表面能Si-NSs的聚集,從而可實現機械穩定的電極結構以承受深度鋰化和脫鋰。圖2Si-NSs@rGO的電化學性能因此,這種獨特的Si-NSs@rGO納米復合結構提供了優異的可逆容量(2395.8 mAh g-1,0.05 A g-1)和超高的倍率性能(1727.3 mAh g-1,1000 mA g-1)。更重要的是,Si-NSs@rGO材料還表現出超穩定的循環性能(循環1000 次后的可逆容量為1006.1 mAh g-1)和電極/電解質界面(1000次循環的平均庫侖效率為 99.85%)。這項工作為制備超薄硅納米片提供了一種有效的策略,并大大提高了硅基材料的倍率和循環性能,因此得到的Si-NSs@rGO復合材料是一種非常實用的鋰離子電池負極材料,具有較高的能量密度和較長的使用壽命。圖3 Si-NSs@rGO的倍率性能及Li+嵌入/脫嵌動力學 Ultrathin Si Nanosheets Dispersed in Graphene Matrix Enable Stable Interface and High Rate Capability of Anode for Lithium-ion Batteries. Adv. Funct. Mater. 2021. DOI:10.1002/adfm.202110046