多電子反應(yīng)作為有吸引力的替代方案可以提供更高的比容量,但是,它會(huì)造成結(jié)構(gòu)坍塌,從而導(dǎo)致循環(huán)不穩(wěn)定。青島科技大學(xué)孟阿蘭、李鎮(zhèn)江等通過(guò)電化學(xué)方法實(shí)現(xiàn)K+預(yù)嵌入策略來(lái)修飾氮摻雜管狀石墨烯(VS4/N-TG)作為鎂離子電池(MIBs)的正極。圖1 K0.20VS4/N-TG的制備和多電子反應(yīng)過(guò)程作者通過(guò)多個(gè)非原位表征深入研究了K+預(yù)嵌入在與VS4/N-TG正極復(fù)合的VS4中引起的多電子反應(yīng)過(guò)程的嵌入機(jī)制,其中V2+出現(xiàn)在K+預(yù)嵌入正極,賦予K0.20VS4/N-TG中V2+/V4+、V4+/V5+反應(yīng)過(guò)程。同時(shí),K+還充當(dāng)支撐結(jié)構(gòu)的“支柱”以實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。因此,通過(guò)K+預(yù)嵌入策略,嵌入型K0.20VS4/N-TG正極同時(shí)實(shí)現(xiàn)了多電子反應(yīng)過(guò)程和穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。圖2 K0.20VS4/N-TG的電化學(xué)性能實(shí)驗(yàn)顯示,K0.20VS4/N-TG獲得了高比容量(約190 mAh g-1 at 50 mA g-1)和優(yōu)異循環(huán)性能,2000次循環(huán)后容量保持率接近100%。因此,這項(xiàng)工作中提出的K+預(yù)嵌入策略可同時(shí)實(shí)現(xiàn)高比容量和穩(wěn)定的循環(huán)性能。除此之外恒電流間歇滴定技術(shù)(GITT)和類擬電容貢獻(xiàn)分析揭示了K0.20VS4/N-TG中的快速M(fèi)g2+反應(yīng)動(dòng)力學(xué)和高M(jìn)g2+可逆性。這些結(jié)果為電化學(xué)儲(chǔ)能領(lǐng)域中利用K+預(yù)嵌入策略實(shí)現(xiàn)多電子反應(yīng)過(guò)程與結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性之間的協(xié)同機(jī)制提供了深入的探討。圖3 K0.20VS4/N-TG反應(yīng)機(jī)制的非原位表征Insight into the coordinating mechanism of multi-electron reaction and structural stability induced by K+ pre-intercalation for magnesium ions batteries. Nano Energy 2021. DOI: 10.1016/j.nanoen.2021.106838