在常規(n-i-p)PSC中,鈣鈦礦太陽能電池(PSC)的能量轉換效率(PCE)>25%,但對于倒置(p-i-n)PSC,PCE在22%至23%之間。這種較差性能的起源尚不清楚,但不同的異質連接接觸可能是根本原因。非輻射重組發生在與載流子運輸層的接觸處,因此限制PSC性能的是接觸異質結,而不是鈣鈦礦或輸送層本身。在常規PSC中,介孔支架內的鈣鈦礦在性質上往往比塊體鈣鈦礦更n型,這誘導了一個額外的場,通過在這個接觸界面的帶狀彎曲來促進電子提取。在倒置PSCs中,鈣鈦礦膜的p型特性與n型電子傳輸層直接接觸,誘導了效率。因此,在倒置PSC中,有必要控制鈣鈦礦界面的半導體性質。鈣鈦礦異質結處的接觸特性也影響器件穩定性。在接觸界面上,鈣鈦礦成分與弱化學鍵組裝,如離子鍵、氫鍵和范德瓦爾斯相互作用。由此產生的鈣鈦礦界面的柔軟性使其容易受到環境空氣和水的攻擊。鈣鈦礦成分還會擴散和穿透輸送層,降解異質結和輸送層,甚至腐蝕電極。許多有機分子可以鈍化鈣鈦礦與次級鍵的界面,如氫鍵、配位相互作用或離子鍵,但這些弱次級鍵仍然會導致穩定性問題。華東師范大學方俊鋒教授課題組在Science上發表文章,Constructing heterojunctions by surface sulfidation for efficient inverted perovskite solar cells,通過界面修飾,實現了倒置PSC的高效率和高穩定性。利用PbS的n型和穩定無機性質,作者提出了一種表面硫化處理(SST),為倒置PSC構建穩定的異質結。硫化過程為:通過自旋涂層吡啶-2-羧基鉛(PbPyA2)形成富鉛鈣鈦礦表面,并用六甲基二硅硫烷(TMS)硫化,它可以與固相PbPyA2反應在SST之后,鈣鈦礦表現出淺的費米能級(變得更n型),這通過帶狀彎曲在鈣鈦礦界面上誘導了額外的后表面場。這個場與倒置PSC的內置電位(Vbi)的方向相同。具有SST的PSC的PCE大于24%,開路電壓(Voc)高達1.19 V,相當于甲脒(FA)基的鈣鈦礦系統(帶隙為1.55 eV)的低電壓損耗(為0.36 V)。Pb-S鍵比Pb-I鍵強得多;PbS的溶解度積常數(1.0×10-28的Ksp)比PbI2(7.1×10-9)小19個數量級。S2-陰離子將在鈣鈦礦界面與鉛離子緊密結合,并抑制降解反應。PbS和鈣鈦礦之間的相似晶體晶格也應穩定FA基鈣鈦礦的晶體結構。由此產生的SST PSC在85°C老化2200小時后保留了91.8%的初始效率。值得注意的是,操作穩定性也大大提高,在55°±5°C連續照明下1000小時的最大功率點(MPP)跟蹤后,保留了>90%的初始PCE。圖文詳情