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科研界的“神雕俠侶”,今年第三篇Nature!

電子關聯和拓撲學,是現代凝聚態物理學的兩條主線。半導體moiré材料為電子關聯的研究,提供了一個高度可調的平臺。關聯-驅動現象,包括Mott絕緣子,廣義魏格納晶體,條紋相和連續Mott轉變等,已被廣泛證明。然而,非平凡的拓撲帶結構,仍然不清楚。
在此,來自美國康奈爾大學的單杰&麥健輝等研究者,報道了AB-型堆疊MoTe2 /WSe2 moiré異質雙層膜量子反常霍爾效應的觀測。相關論文以題為“Quantum anomalous Hall effect from intertwined moiré bands”于2021年12月22日發表在Nature上。
科研界的“神雕俠侶”,今年第三篇Nature!
范德華材料的二維moiré異質結構,為工程電子關聯、拓撲結構及其相互作用,提供了一種新的研究范式。在石墨烯材料中,moiré模式可以產生具有谷比陳氏數的拓撲帶(時間反演對稱在單粒子水平上被保留)。在足夠平坦的帶下,對稱破缺的關聯驅動態更受青睞。軌道鐵磁效應和量子反常霍爾效應,在發現超導和相關絕緣態之后相繼被報道。
然而,晶格模型被認為不適合描述扭曲雙層石墨烯的低能物理,因為其帶的拓撲性質。相反,在半導體過渡金屬二鹵族化合物(TMD)雜雙層中,moiré帶的拓撲結構不明顯;單帶哈伯德模型很好地描述了低能物理現象,該模型由單層TMDs的反演對稱性破缺和Ising自旋各向異性提供的。在扭曲的TMD雙分子層中糾纏兩個電子態副本被認為可以誘發非平凡拓撲能帶,并實現長久以來備受關注的Kane-Mele模型,該模型用于在固態平臺中相互作用量子粒子。許多奇異的物質狀態,包括拓撲Mott絕緣子,QAH絕緣子和手性自旋液體,已經被預測。然而,到目前為止,在TMDs中還沒有實現非平凡拓撲帶。
在此,研究者報道了在近60度扭曲(或ab -堆疊)MoTe2 /WSe2異質雙層膜中,實現了由Mott絕緣子到QAH絕緣子的電場誘導拓撲相變。兩個TMDs形成三角形的moiré超晶格,具有三個高對稱疊加位點:MM、MX和XX (M = Mo或W;X = Te或Se)(圖1a)。兩種材料的晶格失配率約為7%,moiré晶格周期約為5 nm,密度約為moiré nM≈5×1012 cm?2

科研界的“神雕俠侶”,今年第三篇Nature!

圖1. AB-型堆疊的MoTe2/WSe2異質雙層
研究表明,與AA堆疊的異質雙層不同的是,一個離面電場不僅控制帶寬,而且通過在不同層中心纏繞moiré能帶來控制能帶拓撲結構。在半帶填充時,對應于每個moiré單胞有一個粒子,研究者觀察到量子化的霍爾電阻,h/e2 (h和e分別表示普朗克常數和電子電荷),在磁場為零時,縱向電阻消失。電場誘導的由莫特絕緣子到量子反常霍爾絕緣子的拓撲相變先于絕緣子到金屬的相變。與大多數已知的拓撲相變相反,它不伴有體電荷隙閉合。該研究,為發現半導體moiré材料中由于強相關性和拓撲共同影響而產生的涌現現象奠定了基礎。

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圖2. ν=1處量子化反常霍爾效應

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圖3. ν=1時的Mott-QAH絕緣體躍遷

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圖4 ν=2處量子谷自旋霍爾絕緣體的證據
總之,研究者在ν = 1處觀察到了AB-堆疊MoTe2 /WSe2異質雙層膜中,由Mott絕緣體向QAH絕緣體的拓撲相變。該躍遷不表現出任何電荷隙閉合的跡象,可能是一個弱的一級躍遷。它與ν = 2時從moiré帶絕緣子到可能的量子谷自旋霍爾絕緣子的連續拓撲相變相關。進一步的研究,需要驗證氣隙閉合后ν = 2狀態的性質,以及觀測到的QAH絕緣子的谷極化性質。該結果建立了半導體moiré材料作為一個通用的系統,以探索涉及電子相關和拓撲的現象學。
據悉,這是單杰&麥健輝夫婦,繼2021年10月27日之后(這年頭發Nature時興夫妻檔:這對夫妻今年第2篇,共計6篇!),又一篇Nature,而這已經是這對神仙眷侶在今年的第三篇Nature正刊了。
科研界的“神雕俠侶”,今年第三篇Nature!
科研界的“神雕俠侶”,今年第三篇Nature!
科研界的“神雕俠侶”,非他們莫屬。
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文獻信息
Li, T., Jiang, S., Shen, B.?et al.?Quantum anomalous Hall effect from intertwined moiré bands.?Nature?600,?641–646 (2021). https://doi.org/10.1038/s41586-021-04171-1

原文鏈接:

https://www.nature.com/articles/s41586-021-04171-1

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