中國科學院合肥物質研究院固體物理研究所計算物理與量子材料研究部研究員鄭小宏課題組與愛爾蘭都柏林圣三一學院教授Stefano Sanvito合作，在利用二維鐵電材料調控二維A型反鐵磁材料的半金屬性研究中獲進展。相關研究成果以Ferroelectric control of electron half-metallicity in A-type antiferromagnets and its application to nonvolatile memory devices為題，發表在Physical Review B上。實現具有完全自旋極化特征的半金屬性（half-metallicity）是凝聚態物理和自旋電子學中重要課題。近年來，二維雙層A型反鐵磁半導體，也就是層內表現為鐵磁序，而層間表現為反鐵磁序的雙層van der Waals（vdW）磁性材料為自旋電子器件提供了重要候選材料，引起廣泛關注。其能帶特征表現較獨特，即兩種自旋的能帶簡并；對于每個自旋通道，其價帶和導帶局域分布在不同的層上；同時，每個能帶中兩種自旋的態也分布在不同的層上。這些特性使此類體系可利用外加電場方式實現半金屬性。然而，外電場調控方案所需臨界電場過大，實驗上難以實現。因此，尋找新的調控手段在二維A型vdW反鐵磁半導體中實現半金屬性具有重要意義。
