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北理曹傳寶/朱有啟AFM:用于高性能儲鎂的CuSe納米片

北理曹傳寶/朱有啟AFM:用于高性能儲鎂的CuSe納米片
CuSe作為轉換型正極材料,因其比容量大而備受關注,但在重復充放電循環過程中,由于結構坍塌,容量衰減嚴重。
近日,北京理工大學曹傳寶(通訊作者)和朱有啟(通訊作者)等人在知名期刊Adv. Funct. Mater.上發表了題為“Pulverization-Tolerant CuSe Nanoflakes with High (110) Planar Orientation for High-Performance Magnesium Storage”的研究性論文。
北理曹傳寶/朱有啟AFM:用于高性能儲鎂的CuSe納米片
CuSe納米片制備示意圖
作者在微波輻射下通過溫控晶體生長路線進行了設計,得到了單晶和(110)擇優取向的CuSe納米晶。所制備的CuSe納米片狀正極材料具有高的可逆容量(在200 mA g?1電流密度下為204 mAh g?1)、優異的倍率性能和顯著的長期循環穩定性(在700次循環中,1 A g-1下的容量衰減率為0.095%)。X射線光電子能譜(XPS)和X射線衍射(XRD)證實了CuSe納米片狀正極材料的多步可逆轉化機理。
CuSe納米薄片的高分辨率XPS表征
結構演化研究表明,單晶CuSe納米片可以表現出相對持久的結構穩定性。良好的循環穩定性可以歸因于CuSe納米片狀正極材料具有良好的抗粉碎性,這是由于其多步可逆轉化機制和單晶特性所賦予的。此外,優先取向的(110)活性平面有利于電化學反應,以確保高比容量。本工作為制備高性能轉換型鎂二次電池電極材料提供了一種晶體工程策略。
(110)擇優取向CuSe納米片的形貌和微結構表征
Pulverization-Tolerant CuSe Nanoflakes with High (110) Planar Orientation for High-Performance Magnesium Storage(Adv. Funct. Mater., 2021, DOI: 10.1002/adfm.202104730)

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