日本國立材料研究所（National Institute for Materials Science）團隊研究了Ti或Zr摻雜對SnTe半導體熱電性能的影響。這兩種過渡金屬摻雜后，SnTe的品質因子（zT）及熱電轉換效率在中低溫范圍內（高溫熱源溫度<723 K）均有所提升。例如，未摻雜的SnTe在中低溫范圍內zT很難超過0.5，而本文報道的摻雜SnTe的zT已接近0.7。
沙特阿卜杜拉國王科技大學（King Abdullah University of Science & Technology）研究團隊指出有機太陽能電池受體分子的四極矩（quadrupole moment）對非富勒烯太陽能電池中電荷傳遞有影響。他們首先合成了兩種受體分子。其一是以羅丹寧為端基的IDT（indacenodithiophene）分子。第二種主體也是IDT，但端基變為二氰乙烯基。給體分子均為PCE10聚合物。由于氰基強烈吸電子，第二種受體的四極矩更大。通過測試、對比二者在光照下電荷傳遞行為與相應太陽能電池的性能，作者們發現受體的四極矩越大，電池開路電壓（Voc）越小，激子非輻射結合概率越大。這是因為四極矩降低了電荷轉移態的能量。漂浮的藍色分子骨架為受體分子，紅色條帶應為PCE10給體分子。圖像清晰地展示了二者間發生的一次電荷傳遞瞬間，這是論文研究的核心過程。仔細看背景還能發現若隱若現的受體分子的結構式。
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鈣鈦礦太陽能電池材料
韓國高麗大學（Korea University）Jun Hong Noh教授課題組聯合韓國成均館大學（Sungkyunkwan University）Hyun Suk Jung教授課題組，成功解決了鈣鈦礦p-i-n太陽能電池空穴傳輸層的制備難題。在鈣鈦礦p-i-n太陽能電池中，空穴傳輸層需附著在鈣鈦礦層上導出光生空穴。但傳統的溶液涂布制備法會因使用極性溶劑而部分損壞下方的鈣鈦礦材料。使用非極性溶劑雖能保護鈣鈦礦材料，但空穴傳輸層難以涂布均勻。
