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眼見為實(shí)!王崇民等人Nature Nanotechnology:冷凍電鏡揭示Si容量損失原因

SEI是在電極表面形成的一層界面,是電池中電化學(xué)反應(yīng)的重要組成部分,對(duì)電池的穩(wěn)定性起著至關(guān)重要的作用?;钚圆牧?,尤其是那些有極高能量密度的材料,如硅(Si),常常不可避免地接受大量離子的插入和脫出,提高能量密度的一個(gè)關(guān)鍵問題是,SEI如何與材料交互響應(yīng)和演變,從而控制電池的循環(huán)穩(wěn)定性。
一般認(rèn)為,Si的容量衰減是由于固有的大體積變化和隨后SEI的重復(fù)循環(huán)積累引起的,這是這類材料的普遍預(yù)期。通常,體積變化會(huì)導(dǎo)致Si的開裂,SEI的破裂、再生和累積生長,以及伴隨的失去電接觸。這一觀點(diǎn)似乎是自洽的,解釋了大于臨界尺寸(通常為150 nm)的硅的容量衰減,但與納米硅的容量衰減不一致,其中材料的開裂問題被縮小的顆粒尺寸顯著減緩。
除電極級(jí)失效外,納米Si的容量衰減或多或少與材料表面SEI層的增厚有關(guān),以及Si和Li等活性材料的逐漸損失和電化學(xué)-機(jī)械降解。然而,關(guān)于SEI在循環(huán)過程中對(duì)電極大體積變化響應(yīng)的結(jié)構(gòu)和化學(xué)動(dòng)態(tài)演化的關(guān)鍵實(shí)驗(yàn)證據(jù)仍然缺乏。
眼見為實(shí)!王崇民等人Nature Nanotechnology:冷凍電鏡揭示Si容量損失原因
美國西北太平洋國家實(shí)驗(yàn)室的王崇民研究員、李曉林研究員、賓州州立大學(xué)張宿林教授和洛斯阿拉莫斯國家實(shí)驗(yàn)室Jinkyoung Yoo等人在Nature Nanotechnology上發(fā)表最新成果,從微觀角度給我們解讀了Si負(fù)極容量損失的根源。
在這里,作者在不銹鋼上上沉積Si納米線,與鋰組成電池,經(jīng)過鋰化和去鋰化的循環(huán)后,作者通過集成敏感元素層析成像、先進(jìn)的算法和低溫掃描透射電子顯微鏡,對(duì)Si的形貌和成分進(jìn)行表征,作者揭示了硅和SEI的三維相關(guān)結(jié)構(gòu)和化學(xué)演化。在化學(xué)力學(xué)模型的證實(shí)下,作者證明了在脫鋰過程中,由于空位產(chǎn)生和縮合,電解液沿著納米孔洞的滲流通道逐步滲透,導(dǎo)致SEI生長。因此,Si-SEI空間結(jié)構(gòu)的發(fā)展從經(jīng)典的前幾個(gè)周期的“核殼”結(jié)構(gòu)到了后面長循環(huán)的“葡萄干布丁”結(jié)構(gòu),Si被SEI包圍為主要特征,這導(dǎo)致電子傳導(dǎo)通路的破壞和形成死Si,造成容量損失。這里的SEI與活性材料的空間耦合交互演化模型原則上適用于大容量電極材料,為修復(fù)大容量電極的衰落提供了重要的見解。
圖文詳情
眼見為實(shí)!王崇民等人Nature Nanotechnology:冷凍電鏡揭示Si容量損失原因
圖1. 實(shí)驗(yàn)設(shè)置、Si的電池性能和結(jié)構(gòu)演變
眼見為實(shí)!王崇民等人Nature Nanotechnology:冷凍電鏡揭示Si容量損失原因
圖2. Cryo-STEM-HAADF圖像和EDS元素組成圖,以說明Si和SEI在循環(huán)過程中的結(jié)構(gòu)和化學(xué)演變
眼見為實(shí)!王崇民等人Nature Nanotechnology:冷凍電鏡揭示Si容量損失原因
圖3. Cryo-STEM-EDS成像技術(shù)研究了Si-SEI復(fù)合材料36次循環(huán)后的三維結(jié)構(gòu)和元素分布
眼見為實(shí)!王崇民等人Nature Nanotechnology:冷凍電鏡揭示Si容量損失原因
圖4. 用3D cryo-STEM-EDS從兩個(gè)方向分段觀察化學(xué)成分,以說明Si和SEI層的空間相關(guān)演化與電池循環(huán)
眼見為實(shí)!王崇民等人Nature Nanotechnology:冷凍電鏡揭示Si容量損失原因
圖5. 基于微觀結(jié)構(gòu)的鋰化/去鋰化周期SEI向內(nèi)生長模型
文獻(xiàn)信息

He, Y., Jiang, L., Chen, T. et al. Progressive growth of the solid–electrolyte interphase towards the Si anode interior causes capacity fading. Nat. Nanotechnol. (2021).

https://doi.org/10.1038/s41565-021-00947-8

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