來源?|?iMedicines、材料學網

迄今為止，傳統的p型氧化物半導體表現出較差的遷移率和穩(wěn)定性，這阻礙了所有基于氧化物的邏輯器件的發(fā)展。此外，以往對p型氧化物晶體管的研究受到典型平面型結構的限制。

2022年3月7日，韓國成均館大學宋承貞（Sung Hyeon Jung）等人在Materials Horizons（IF=13）在線發(fā)表題為“Progressive p-channel vertical transistors fabricated using electrodeposited copper oxide designed with grain boundary tunability”的研究論文，該研究設計的加入Sb元素的Cu2O電沉積方法促進了晶界的垂直排列，并且與垂直場效應晶體管中從源極到漏極的電荷輸運方向完全吻合。

但是，在2023年10月18日，該文章被撤回，主要原因是結果無法重復。

另外，2023年4月3日，韓國成均館大學宋承貞（Sung Hyeon Jung）等人在Materials Horizons（IF=13）在線發(fā)表題為“Ambipolar operation of progressively designed symmetric bidirectional transistors fabricated using single-channel vertical transistor and electrochemically prepared copper oxide”的研究論文，該研究提出了一種對稱雙向晶體管(SBT)。該器件在單通道垂直晶體管(V-Tr)的不同偏置方向上同時實現了金屬氧化物半導體場效應晶體管和TFT的“強反轉”和“積累”機制。但是，在2023年10月18日，該文章被撤回，主要原因是結果無法重復。

英國皇家化學學會(The Royal Society of Chemistry)，經作者同意，出于對可重復性的考慮，在此完全撤回這篇Materials Horizons?。這項研究代表了首次嘗試使用電化學方法制造半導體晶體管的氧化物半導體，導致垂直晶體管的生產。與傳統的平面晶體管相比，本研究提出了基于垂直制造晶體管的結果。

最近，當我們重復垂直晶體管的制造時，我們無法重現文章中的結果。我們意識到，以前的研究忽略了通過電化學手段產生的半導體層的一些可靠性問題，以及用于制備結果的測量方法的誤差。垂直結構在通道配置方面與傳統平面結構有很大不同，這就需要對器件的電氣特性進行評估和計算時考慮新的因素。

遺憾的是，這方面沒有得到充分的考慮，導致對晶體管中最關鍵的參數——溝道遷移率的高估，這可能導致論文中的錯誤結果。我們作為這份材料視野通訊的作者，希望撤回這份通訊。

參考消息：

https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2023/MH/D3MH90059B

https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2023/MH/D3MH90060F