關于催化研究的“玄機”或者“魔法”,筆者今年已看到數篇觀點文章。從ORR的電位掃描方向,到電化學測試時的電位補償,這些常被忽視的測試參數都極大地影響著最終測得的催化性能。電催化、光催化尤其如此。如果以上還只是局限在性能測試方法上的話,最近ACS Energy Letters上的一篇觀點文章則將催化“玄機”聚焦到了催化劑本身。澳大利亞阿德萊德大學喬世璋教授團隊發現,測試光催化CO2還原催化劑性能時,如果忽略清洗催化劑表面上可能存在的有機污染物,會導致虛假的優良性能。催化劑不清洗?問題多多催化劑的合成過程往往涉及各種有機物。例如,合成具備一定納米形貌的催化劑,可能需要借助有機表面活性劑;合成硫化物時,可能需要利用含硫有機物作為硫源。因此,所制備的催化劑表面上或多或少會殘留這些有機物。如果坐視不管這些殘留物,會給催化結果帶來巨大影響。作者們制備了兩種CO2還原光催化劑:一種是通過CTAB(有機表面活性劑)制備的Bi2WO6納米片。另一種是利用乙二胺做硫源,通過水熱合成的CdS納米棒。將這兩種催化劑不經任何后處理,直接置于充滿氬氣的反應器內,光照一段時間,然后檢測所得氣相產物。由于氬氣在常溫常壓下化學性質穩定,難以和催化劑發生化學反應。因而反應器內應檢測不到任何氣相產物。然而出乎意料,無論是Bi2WO6納米片還是CdS納米棒,光照4小時后,CO、H2、甲烷,甚至乙烯,都有可觀的產量。(沒有CO2也能產生乙烯……離了大譜!圖源:ACS Energy Lett.)相比CO,甲烷、乙烯這些小分子有機物,是CO2還原催化研究中夢寐以求的產物之一。觀察到這些產物是對催化劑優異性能的肯定。然而,現在的結果表明,即便沒有CO2反應物,你的催化劑也能給出夢想產物。作者們認為,這些產物是吸附在催化劑表面的有機物在光照條件下分解產生的。光照時,催化劑產生的光生載流子與表面吸附的有機物發生氧化或還原反應,產生CO及含碳有機物:為論證這個觀點,作者們還進行了一系列對照、驗證實驗,包括利用原位漫反射傅里葉變換紅外光譜(in situ DRIFT)觀察催化劑表面官能團的變化。篇幅所限,這里就不為讀者們解讀這些數據了。感興趣的讀者可以移步原文,文末有原文鏈接。我們著重看結論以及規避影響的方法。催化劑清洗?問題也多多要去除表面吸附的雜質,最容易想到的方法無外乎清洗。比如用去離子水洗。如果嫌水洗后烘干麻煩,可用乙醇等易揮發的有機溶劑。然而,這樣的清洗方法不能很好地解決問題。來看水洗后的催化劑在氬氣中光照后得到的實驗結果:(說明一下,為了防止吸附的水對催化性能的影響,洗過的催化劑會被置于烘箱中60°C烘10個小時。)(水洗后的催化劑在氬氣中光照仍有產物。圖源:ACS Energy Lett.)然而,該有的產物仍然都在,只是含量變少了。也就是說,水可以移除部分表面吸附的有機物,但無法徹底洗干凈。想想也是,有機物大多與水的相容性差,洗不干凈很正常。那換做同樣是有機物的乙醇呢?上結果(依舊是氬氣、光照條件):(乙醇洗后的催化劑在氬氣中光照仍有產物,清洗不完全。圖源:ACS Energy Lett.)除了H2沒有檢測到外,CO、甲烷、乙烯一個不差,而且重現性還不錯:(乙醇洗后的催化劑在氬氣中光照持續形成產物。每次測試后反應器中的氣體會用氬氣充分清洗后再行測試。圖源:ACS Energy Lett.)值得注意的是,商用P25粉末在清洗前,幾乎不產生任何產物。但經過乙醇洗后,雖然進行了烘干,但CO的產量飛起,妥妥的“不洗則已,一洗沖天”。水洗不行,乙醇洗也不好,那怎么辦?尋求最優的清洗方案考慮到氧化物、硫化物熱穩定性比小分子有機物要好,可以利用灼燒去除表面吸附的有機物。通過有機物的分解溫度,作者們將Bi2WO6納米片、CdS納米棒和P25粉末分別置于空氣、氮氣、空氣中加熱到660、400、400°C保持4小時(氮氣加熱CdS是為了防止其在空氣中被氧化)。灼燒后的催化劑在同樣測試條件下所得產物產量明顯減少:(高溫灼燒后的催化劑在氬氣中光照形成的產物產量明顯下降,表明催化劑表面吸附的有機污染物被大部分移除。圖源:ACS Energy Lett.)清洗效果不錯,但同時也有副作用。首先是催化劑的結晶性因為高溫灼燒提高了。結晶性越好,有利于提升光生載流子的壽命,對于光催化不是壞事。第二,灼燒后,Bi2WO6納米片形貌發生了變化。由于Bi2WO6納米片在三者中被加熱的溫度最高(660°C以分解CTAB),其納米片變得更大、更厚了:(高溫灼燒后Bi2WO6納米片變大變厚。a為灼燒前,b為灼燒后。圖源:ACS Energy Lett.)統計數據更明顯地反應了納米片的橫向尺寸增長:(高溫灼燒后Bi2WO6納米片橫向尺寸分布。a為灼燒前,b為灼燒后。圖源:ACS Energy Lett.)納米片在灼燒過程中生長可能導致相鄰納米片的融合,進而減小催化劑的比表面積。對于催化性能可能產生負面影響。所以,高溫灼燒并非十全十美的良策。為避免高溫灼燒帶來的副作用,作者們提出等離子體清洗是更好的清洗方法。等離子體清洗是利用高能等離子體(plasma)轟擊被清洗物表面,移除表面污染物的一種清洗方法,在半導體器件制造中常用。這種清洗方法規避了高溫對材料結構與成分的影響。作者們用氧等離子體清洗了Bi2WO6納米片和P25粉末,用氬等離子體清洗了CdS納米棒。催化結果表明等離子清洗的干凈程度媲美高溫灼燒:(等離子體清洗后的催化劑在氬氣中光照形成的產物產量小。圖源:ACS Energy Lett.)并且,等離子體清洗對于Bi2WO6納米片的形貌影響微乎其微:(等離子體清洗后Bi2WO6納米片橫向尺寸未有明顯變化。a為灼燒前,b為灼燒后。圖源:ACS Energy Lett.)因此,等離子體可作為清洗催化劑、移除表面有機物的合適方法。總結由于吸附在催化劑表面的有機物會極大地影響催化產物種類和數量,因此測試前要先移除表面有機污染物帶來的影響。同時,除了合成中引入的有機物,測試儀器中也可能混進污染物。作者們將有機污染物的來源和移除方法匯總在下表了:另外,作者們還提出了光催化CO2催化還原的規范測試流程,供大家參考:由于催化CO2還原的產物濃度一般很低,所以細微的污染都會對表征結果產生重大影響。做催化時的表征一定不能掉以輕心。更多信息請參閱原文:https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsenergylett.2c00427