中國科學(xué)院金屬研究所沈陽材料科學(xué)國家研究中心陳星秋研究團隊利用節(jié)線半金屬產(chǎn)生的鼓膜狀表面態(tài)作為析氫反應(yīng)的催化平臺,提出了拓?fù)淞孔哟呋男赂拍?,并建議TiSi家族材料作為這種催化劑的潛在候選范本。這一新概念對于新型催化材料的設(shè)計具有指導(dǎo)意義。該成果在Science China Materials 2018年第1期作為封面文章報道。
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在凝聚態(tài)物理和材料科學(xué)的前沿領(lǐng)域中,拓?fù)涞依斯?jié)線半金屬因其獨特的拓?fù)淠軒ЫY(jié)構(gòu)吸引了科研人員的廣泛關(guān)注。拓?fù)涔?jié)線半金屬具有體態(tài)能帶反轉(zhuǎn)導(dǎo)致的穩(wěn)定閉合環(huán)狀狄拉克節(jié)線,它投影到某些材料的表面會形成閉合的圈,圈內(nèi)則表現(xiàn)出受拓?fù)浔Wo的能量色散非常小的鼓膜狀拓?fù)浔砻鎽B(tài),從而使表面處的費米能級具有極高的電子態(tài)密度。目前,催化活性位置的設(shè)計一般需要滿足在費米能級處具有較高的電子態(tài)密度、高載流子輸運速率和適當(dāng)?shù)臒崃W(xué)穩(wěn)定性。理論上,由于不易被破壞的鼓膜狀拓?fù)浔砻鎽B(tài)的存在,拓?fù)涔?jié)線(半)金屬天然融合了費米能級高的電子態(tài)密度和高載流子輸運速率優(yōu)勢,可為其作為潛在的高效催化平臺提供堅實基礎(chǔ)。
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基于這一設(shè)想,最近中科院金屬所陳星秋研究團隊提出了拓?fù)淞孔哟呋男赂拍睿粗饕霉腆w拓?fù)洳牧系谋砻鎽B(tài)作為催化活性平臺。基于第一性原理計算和模型分析,他們建議拓?fù)涔?jié)線半金屬TiSi新型家族材料可作為潛在電化學(xué)析氫催化平臺。計算結(jié)果表明在自旋-軌道耦合效應(yīng)較弱的TiSi金屬間化合物中,由于Ti的dyz和dz2軌道能帶反轉(zhuǎn)而導(dǎo)致在布里淵區(qū)內(nèi)的ky=0平面內(nèi)形成了閉合的狄拉克節(jié)線環(huán),用緊束縛模型分析了ky=0和ky=π兩個面的瓦尼爾中心的演化,確定了該狄拉克節(jié)線環(huán)的拓?fù)浞瞧接沟男再|(zhì)。在與ky=0平面平行的(010)表面出現(xiàn)了二重簡并的非平庸拓?fù)浔砻鎽B(tài),該表面態(tài)穿過費米能級,導(dǎo)致(010)表面出現(xiàn)了高的電子態(tài)密度。氫吸附過程計算表明(010)表面氫吸附自由能△G幾乎恰好為0,表明氫既不那么強也不那么弱地被(010)表面吸附。因此,該(010)表面既有利于氫離子得到電子被還原,又有利于氫氣的析出。同時,拓?fù)潆姾梢脖唤沂緟⑴c了析氫反應(yīng)過程。
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根據(jù)這個思路,他們提出了TiSi家族材料不僅有希望成為析氫反應(yīng)的催化劑,更重要的是它指明利用固體材料的拓?fù)浔砻鎽B(tài)設(shè)計新型催化劑的新路線——拓?fù)淞孔哟呋?。這一利用拓?fù)涔?jié)線材料非平庸表面態(tài)作為催化活性位置的思路與以往利用納米、構(gòu)筑、缺陷、晶界等調(diào)控設(shè)計催化劑具有本質(zhì)不同。
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該研究得到了國家自然科學(xué)基金和國家杰出青年基金的資助。
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【圖文詳解】
圖1.?拓?fù)渫鉅柊虢饘?TWs)和狄拉克節(jié)線半金屬(DNLs)在動量空間中的示意圖及其態(tài)密度(DOSs)圖(a)材料體內(nèi)的一對Weyl節(jié)點(左下圖)和其表面形成的費米弧表面態(tài)(左上圖)及它們相應(yīng)的態(tài)密度圖(右圖);(b)材料體內(nèi)的DNL(左下圖)以及表面上幾乎平坦的鼓膜狀的非平庸表面態(tài)(左上圖)和它們對應(yīng)的態(tài)密度圖(右圖)。
圖2. TiSi的晶體結(jié)構(gòu),布里淵區(qū)(BZ)和聲子譜:(a)具有Pnma空間群的斜方晶格;(b)晶格的布里淵區(qū)(BZ)和高對稱k點,陰影區(qū)域表示狄拉克節(jié)線在ky?= 0平面的相應(yīng)位置;(c)DFT計算得到的聲子譜。
圖3. TiSi的電子能帶結(jié)構(gòu)和Wannier中心的演化:(a)沒有包含自旋軌道耦合(SOC)的電子能帶結(jié)構(gòu)。在(a)中,空心圓表示Ti原子?dyz態(tài)的權(quán)重,實心方塊表示Ti 原子dz2態(tài)的權(quán)重,(b,c)表示W(wǎng)annier中心沿著kx方向的演化。演化線分別在ky?= 0和ky?= π平面上與參考線(紅色虛線)相交奇數(shù)和偶數(shù)次。ky和kx為圖2b所示的方向。(d-f)TiSi,TiGe和TiSn的ky?= 0平面的狄拉克節(jié)線示意圖。上圖和下圖分別表示它們的三維可視化圖和它們在(010)平面上對應(yīng)的二維投影。
圖4.?(a,b)50個原子層的(010)-I表面及其吸附氫后的表面電子結(jié)構(gòu)。拓?fù)浔Wo的表面態(tài)標(biāo)記為圍繞Γ的SF-band1,平庸的表面帶標(biāo)記為沿著Γ-X的SF-band2。(c)TiSi體相和(010)表面頂層原子之間態(tài)密度(DOSs)的比較。
圖5.?拓?fù)銬NLs對TiSi的HER催化活性的影響:(a)DNL誘導(dǎo)的表面態(tài)提供HER反應(yīng)活性平面的示意圖。(b)(010)-I表面拓?fù)鋺B(tài)的可視化局部電荷。電荷具有最上面Ti原子的類似dyz軌道的特征。(c,d)在(010)-I表面可視化的H原子局部電荷聚集和Ti原子周圍電荷的消耗。(e)在標(biāo)準(zhǔn)條件下(pH = 0),電極反應(yīng)平衡(U = 0)時計算得到的析氫自由能圖。在標(biāo)準(zhǔn)條件下平衡時,H?+?+ e?–?的自由能與1/2 H?2相同(方法?[62])。其中MoS2(邊緣狀態(tài)-0.08 eV)和Pt(-0.09 eV)的數(shù)據(jù)來自參考文獻 [52]。(f)在火山圖中,TiSi的HER行為與各種純金屬(Pt,Pd,Ni,Ir,Co,Rh,Ag,Cu,Mo和W的實驗數(shù)據(jù)?[61]),TWs(NbP,TaP,NbAs和TaAs的計算數(shù)據(jù))以及其他候選物(TaS2(2H),MoTe2(1T’),MoTe2(Td)和TaS2(1T)的理論數(shù)據(jù)?[50])的比較。
【原文鏈接】
Topological quantum catalyst: Dirac nodal line states and a potential electrocatalyst of hydrogen evolution in the TiSi family.?
Jiangxu Li, Hui Ma, Qing Xie, Shaobo Feng, Sami Ullah, Ronghan Li, Junhua Dong, Dianzhong Li, Yiyi Li,?Xing-Qiu Chen.
Science China Materials, 2018, 61(1): 23-29
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