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【MS計算解讀】Dmol3計算用于NO2氣體敏感性的過渡金屬二硫化物

【MS計算解讀】Dmol3計算用于NO2氣體敏感性的過渡金屬二硫化物
氣體傳感器廣泛用于有毒氣體監測和空氣質量測試,現在工業應用中對用于監測氮氧化物(NO和NO2)的氣體傳感器的需求越來越大。對于氮氧化物(NO2)的檢測,需要找到一種容易制造、低成本、高性能的二維材料。
有鑒于此,河南理工大學董仲周等人運用密度泛函理論(DFT)研究了三種用于NO2分子檢測的過渡金屬二硫化物(TMDs),分別為MoTe2、MoSe2和MoS2
計算方法
在本文中,作者使用Dmol3軟件包進行第一性原理計算,并且在結構優化中使用了廣義梯度近似(GGA)中的Perdew Burke Ernzerhof(PBE)泛函。
采用一個4×4×1的超胞結構來進行所有計算,并且其由16個Mo和32個Te/Se/S原子組成,運用Grimme方法處理范德瓦爾斯力和遠距離相互作用。
本研究利用d極化函數增強的雙數值原子軌道(DNP基組)和密度廣義半核贗勢來描述電子-離子相互作用(DSPP),并且采用7×7×1 K點網格進行布里淵區采樣。而在Hirschfeld方法分析電荷分布和電荷轉移中,采用了10×10×1 k點網格。
幾何優化的能量收斂標準為1.0×10-5 Ha,最大力為2×10-3 Ha/?,最大位移為5×10-3?。

結果與討論

【MS計算解讀】Dmol3計算用于NO2氣體敏感性的過渡金屬二硫化物
圖1. 模型結構和DOS
原始Mo(Te/Se/S)2單層的優化結構如圖1a所示,Mo-Te、Mo-Se和Mo-S的鍵長分別為2.76 ?、2.54 ?和2.43 ?,并且MoS2具有與其他兩個單層相反的結構。
針對單層的電子性質,在(b)中繪制了三個系統的總態密度和部分態密度(DOS)。
可以看出,三個系統都呈現半導電性,在導帶部分中觀察到的帶隙分別為1.10、1.46和1.72 eV,主要由Mo的3d軌道貢獻。在價帶部分,主要是Te原子的5p軌道、Se原子的4p軌道和S原子。
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圖2. Ir,Pt和Au在MoX(Te/Se/S)上的吸附能
如圖2所示, 對于Ir原子的吸附,三種體系都傾向于吸附在Mo原子上,其吸附能排序為MoS2>MoTe2>MoSe2
類似地,Pt原子傾向于在Mo原子位點上吸附,其吸附能排序為MoTe2>MoS2>MoSe2,而對于Au原子的吸附,其吸附能排序為MoTe2>MoS2>MoSe2
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圖3. Ir, Pt和Au修飾的MoX(Te/Se/S)的帶隙
圖3顯示了用純、Ir、Pt和Au修飾的三個系統的帶隙。從圖3可以看出,改性金屬原子的帶隙均小于原始單層的帶隙,原始MoTe2單層具有1.1eV的帶隙,在用Ir、Pt和Au原子修飾后,它仍然保持半導電特性,帶隙變為0.88 eV、1.06 eV和0.64 eV,原始MoSe2單層具有1.46 eV的帶隙,Ir和Pt原子的引入使其帶隙變為1.08 eV和1.28 eV,雖然Au原子的吸附使襯底變為金屬性,但帶隙為1.72 eV的原始MoS2單層被Ir和Pt原子修飾后,導致帶隙降低至1.21 eV和1.44 eV。
結果表明,帶隙隨著金屬原子的修飾而減小,較小的帶隙表明電子更容易從價帶轉移到導帶,因此表明三種體系的電導率隨著Ir、Pt和Au原子的吸附而大大提高。
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圖4. Ir,Pt和Au修飾的MoTe2單層的NO2吸附結構以及EDD和FMO
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圖5. Ir,Pt和Au修飾的MoSe2單層的NO2吸附結構以及EDD和FMO
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圖6. Ir,Pt和Au修飾的MoS2單層的NO2吸附結構以及EDD和FMO
吸附后的頂視圖和側視圖如圖4的(a1-a2)、(b1-b2)和(c1-c2)所示。吸附了Ir和Pt原子后,沒有一個結構顯示出任何明顯的變形,表明該結構是穩定的。吸附能分別從最初的-0.50eV增加到-2.13eV、-1.72eV和-1.57eV。
此外,為了更好地理解電子轉移過程,如圖4中的(a3-c3)所示,對形變電荷密度(EDD)進行了分析,其中紅色區域表示電子密度增加,藍色區域表示減少。對于Ir-MoTe2單層,電子積累主要發生在O原子、N原子和N-Ir原子之間。對于Pt-MoTe2單層,電子聚集主要發生在O和N原子上。
對于Au-MoTe2單層,O原子之間存在電子積聚。如(a4)中所示,HOMO和LUMO主要位于Ir摻雜劑中,表明其周圍具有高反應性,這可歸因于其高比金屬活性、能隙的降低和電導率的顯著增加。
盡管在(b4)和(c4)中觀察到LUMO主要位于Mo原子上,Eg的增加意味著電導率的降低,而HOMO的分布比LUMO的分布更密集,這表明在電子轉移過程中,Pt-MoTe2/NO2和Au-MoTe2/NO2系統傾向于比電子受體更多的電子供體,并且電子云區域在HOMO中分布越廣,電子遷移更容易發生。
與MoTe2相似,對于改性MoSe2和MoS2的NO2吸附結構及EDD和FMO的分析如圖5和圖6所示。在Ir改性之后,可以顯著降低結構的帶隙,顯著提高結構的電導率和導電性。
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圖7. Ir,Pt和Au-MoX(Te/Se/S)2單層的吸附能,電子轉移,帶隙和NO2分子吸附距離
如圖7的(a)所示,吸附能的顯著增加表明,作為貴金屬的Ir、Pt和Au摻雜是改善吸附性能的一種有前途的方法,MoS2單層和MoSe2的Ea增加約為9倍,而MoTe2單層的Ea提高約為3倍。(c)和(d)圖說明了吸附后的帶隙變化以及分子和襯底之間的強鍵合。
觀察(b)圖,三種體系的電荷轉移在修飾后也大大改善,轉移量順序為Ir<Pt<Au,總轉移順序為MoS2<MoSe2<MoTe2。MoTe2單層對NO2的吸附性能在改性前后均優于其他兩種,使其成為最理想的吸附表面,這為進一步探索具有TMDs的2D材料用于有毒氣體監測和去除提供了清晰的見解。

結論與展望

原始Mo(Te/Se/S)2單層對NO2分子的檢測效果較差,而引入金屬原子后,由于摻雜劑和氣體分子之間在表面上發生了顯著的電子雜交,因此改性單層表現出比原始單層更好的性能。通過對吸附結構、吸附能、局域電子密度、態密度和前沿軌道理論分析,表明MoTe2是一種很有前途的氣體檢測和去除材料,這將為實驗人員應用Mo(Te/Se/S)2基傳感材料提供理論指導。該工作對于預測新型單硫化物傳感材料和擴展TMDs作為化學氣體傳感器在環境監測領域的應用具有重要意義。

文獻信息

Lin L, Feng Z, Dong Z, et al. Transition metal disulfide (MoTe2, MoSe2 and MoS2) were modified to improve NO2 gas sensitivity sensing[J]. Journal of Industrial and Engineering Chemistry, 2022.
https://doi.org/10.1016/j.jiec.2022.11.036

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