銅(Cu)基串聯納米晶體已被廣泛應用于通過提高CO中間體(*CO) CO2電還原的覆蓋來合成多碳(C2+)產物。然而,了解*CO覆蓋率和C-C耦合之間的內在相關性仍然模棱兩可。基于此,中國科學技術大學耿志剛副教授(通訊作者)等人報道了他們通過將CoPc與Cu的氣體擴散電極耦合構建了一種串聯催化劑(GDE of Cu-CoPc)。在文中,作者通過在Cu的氣體擴散電極(GDE)上構建以鈷-酞菁(CoPc)作為CO生成組分的串聯催化劑,深入研究了*CO的表面覆蓋對C-C耦合的影響,以實現CO2電還原。GDE of Cu-CoPc串聯催化劑在480 mA cm-2的施加電流密度(j)下實現了82%的C2+產物的法拉第效率(FE)。借助原位拉曼光譜測量,原位衰減全反射傅里葉變換紅外光譜(ATR-FTIRS)測量和密度泛函理論(DFT)計算,作者證明了*CO表面覆蓋率的增加導致*CO的吸附模式從橋吸附(*CObridge)轉變為頂部吸附(*COtop)。DFT計算進一步證明兩個*COtop的二聚化在*COtop-*COtop、*COtop-*CObridge和*CObridge-*CObridge的耦合中保持最低的能壘。因此,*CO的高表面覆蓋率促進C-C耦合過程的內在原因是*CO頂部的局部富集。該工作提供了對CO2電還原的表面覆蓋依賴模式特定C-C耦合機制的深入理解。Understanding the Effect of *CO Coverage on C-C Coupling toward CO2 Electroreduction. Nano Lett., 2022, DOI: 10.1021/acs.nanolett.2c00945.