成果介紹
對于二維(2D)層狀材料異質結,能帶對齊的動態調制允許設計具有靈活多功能應用的器件。
有鑒于此,近日,中南大學鐘綿增副教授,何軍教授和中科院半導體所魏鐘鳴研究員(共同通訊作者)等合作提出了一種基于MoTe2/SnSe2場效應晶體管的器件結構。通過對靜電柵極施加偏置電壓,柵極電壓由負調整為正,使異質結從III型能帶對齊轉變為II型能帶對齊。本文研究了具有不同能帶對齊的異質結的工作機理和器件性能。該器件具有良好的探測范圍(從紫外到紅外)、探測率(2.42×109 Jones)和速度(1.3 ms)。在正柵極電壓下,實現了更高的光電流與暗電流之比(2×103)。為了進一步展示高性能器件備的潛力,本文通過在使用深度學習的圖像識別中的表現證實了它們的可靠性。
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圖文導讀
圖1. MoTe2/SnSe2異質結的晶體結構。
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圖2. 電輸運特性。
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圖3. Vg=0 V時異質結光電探測器的光電表征。
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圖4. 光傳輸特性。
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圖5. 器件應用。
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文獻信息
Dynamic Band-Alignment Modulation in MoTe2/SnSe2 Heterostructure for High Performance Photodetector
(Adv. Optical Mater., 2024, DOI:10.1002/adom.202303088)
文獻鏈接:
https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adom.202303088
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