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???【DFT+實(shí)驗(yàn)】廈大ACS Catal.:Ninp@PS(H450)助力WGSR

???【DFT+實(shí)驗(yàn)】廈大ACS Catal.:Ninp@PS(H450)助力WGSR

二氧化硅(SiO2)通常被認(rèn)為是一種惰性載體,有限的研究集中在其在構(gòu)建活性金屬-(氫)氧化物界面中的作用。研究發(fā)現(xiàn),利用SiO2修飾鎳(Ni)表面可顯著提高其對水煤氣轉(zhuǎn)換反應(yīng)(WGSR)的催化性能?;诖耍?strong>廈門大學(xué)鄭南峰教授和傅鋼教授等人報(bào)道了一種Ninp@PS(H450)催化劑,其在350 ℃下的WGSR速率高達(dá)725±7 μmolCO gcat-1 s-1,對比已報(bào)道的Ni基催化劑,這是最高值。

???【DFT+實(shí)驗(yàn)】廈大ACS Catal.:Ninp@PS(H450)助力WGSR

通過DFT計(jì)算發(fā)現(xiàn),通過0.19 eV的小勢壘,H2O很容易解離成SiO-H和Ni-OH。在第三階段,SiO-H和Ni-H偶聯(lián)到H2必須超過1.53 eV的高勢壘,表明SiO-H在整個反應(yīng)過程中都是化學(xué)惰性的。DFT計(jì)算表明,在第一階段,不僅H2O的解離吸附,而且CO在Ni(111)表面的共吸附在能量上都是有利的。CO、OH和H的共吸附相對于反應(yīng)物在氣相中為-2.62 eV?;贐ader電荷分析,作者發(fā)現(xiàn)界面Ni原子的正電荷為+0.17至+0.16 a.u。因此,CO、OH和H在這些原子上的吸附被抑制。

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在第二階段有三個相互競爭的途徑:羧基途徑、甲酸途徑和氧化還原途徑。對于Ni(111)和Ni(111)@PSH,涉及CO* + OH*→HOCO*反應(yīng)的TS2預(yù)測值分別為1.23和0.92 eV。勢壘的差異可能源于CO吸附的能量差。不僅H2O的解離反應(yīng),而且CO和OH的偶聯(lián)反應(yīng)也經(jīng)常被認(rèn)為是反應(yīng)的速率決定步驟(RDS)。下一步,HOCO*將進(jìn)行脫氫反應(yīng),生成CO2和H*(TS3)。DFT結(jié)果表明,TS3在兩個表面上的勢壘均接近簡并,但從熱力學(xué)角度看,Ni(111)@PSH上的脫氫比Ni(111)上的脫氫有利。

???【DFT+實(shí)驗(yàn)】廈大ACS Catal.:Ninp@PS(H450)助力WGSR

Ensemble Effect of the Nickel-Silica Interface Promotes the Water-Gas Shift Reaction. ACS Catal., 2023, DOI: https://doi.org/10.1021/acscatal.3c00388.

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