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上交史志文團(tuán)隊(duì),Nature之后,時(shí)隔1個(gè)月再發(fā)Nature子刊!

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第一作者:Cheng Hu, Jiajun Chen, Xianliang Zhou, Yufeng Xie
通訊作者:史志文
通訊單位:上海交通大學(xué)
論文速覽
范德華(vdW)組裝低維材料已被證明具有創(chuàng)建具有按需屬性的結(jié)構(gòu)的能力。據(jù)預(yù)測(cè),vdW封裝可以引起幾個(gè)GPa的局部高壓,這將強(qiáng)烈改變被捕獲材料的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)。本文研究了范德華(vdW)封裝對(duì)碳納米管(CNTs)結(jié)構(gòu)的影響。
研究表明,通過(guò)簡(jiǎn)單地用六方氮化硼(hBN)片覆蓋CNTs,大部分CNTs(約77%)從管狀結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)樗莸钠矫娼Y(jié)構(gòu)。所有塌陷的CNTs均展現(xiàn)出約0.7納米的均勻高度,這大致相當(dāng)于雙層石墨烯的厚度。通過(guò)拉曼光譜進(jìn)一步確認(rèn)了CNTs的結(jié)構(gòu)崩潰,顯示出拉曼G峰的顯著展寬和藍(lán)移。通過(guò)分子動(dòng)力學(xué)模擬確認(rèn)了vdW封裝誘導(dǎo)的CNTs塌陷過(guò)程,揭示了局部vdW壓力可達(dá)數(shù)GPa
此外,近場(chǎng)光學(xué)表征揭示了CNT結(jié)構(gòu)塌陷伴隨的金屬-半導(dǎo)體轉(zhuǎn)變。本研究不僅提供了一種方便的方法來(lái)產(chǎn)生局部高壓以進(jìn)行基礎(chǔ)研究,而且還為納米電子應(yīng)用提供了一種塌陷的CNT半導(dǎo)體。
圖文導(dǎo)讀
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圖1:hBN封裝誘導(dǎo)的CNT結(jié)構(gòu)塌陷示意圖。通過(guò)原子力顯微鏡(AFM)測(cè)量的CNT直徑為1.8納米,hBN封裝后其高度從1.8納米降至0.7納米,表明CNT發(fā)生了結(jié)構(gòu)塌陷。通過(guò)拉曼光譜進(jìn)一步確認(rèn)了CNT的塌陷,G峰寬度從11 cm?1增至63 cm?1,藍(lán)移7 cm?1
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圖2:通過(guò)分子動(dòng)力學(xué)(MD)模擬展示了hBN封裝CNT的過(guò)程。模擬顯示,局部壓力可達(dá)約10 GPa,與之前預(yù)測(cè)相符。模擬結(jié)果表明,不同直徑的CNT在vdW層間作用下都會(huì)嚴(yán)重壓縮。
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圖3:統(tǒng)計(jì)CNT塌陷比例的分布直方圖。在hBN封裝的CNT中,約77%的CNT發(fā)生了塌陷,這表明了相當(dāng)高的塌陷比例。
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圖4:通過(guò)近場(chǎng)光學(xué)表征揭示CNT結(jié)構(gòu)塌陷伴隨的金屬-半導(dǎo)體轉(zhuǎn)變。選擇一個(gè)特定CNT樣本,該樣本在hBN覆蓋區(qū)域內(nèi)既有塌陷部分也有圓形部分,以便直接觀察塌陷引起的近場(chǎng)光學(xué)響應(yīng)變化。
總結(jié)展望
本研究展示了通過(guò)vdW封裝產(chǎn)生局部數(shù)GPa高壓的新方法,這種方法能夠以高達(dá)約77%的比例誘導(dǎo)CNTs的結(jié)構(gòu)塌陷。通過(guò)分子動(dòng)力學(xué)模擬和實(shí)驗(yàn)觀察,我們證實(shí)了結(jié)構(gòu)塌陷能夠在金屬CNT中打開(kāi)能隙,誘導(dǎo)金屬-半導(dǎo)體轉(zhuǎn)變。
這為制造具有可調(diào)諧能隙的塌陷CNTs提供新方法,有利于其在電子和光電子領(lǐng)域的實(shí)際應(yīng)用。此外,vdW封裝為探索納米尺度的新型高壓現(xiàn)象提供了一種簡(jiǎn)便的方法。

文獻(xiàn)信息

標(biāo)題:Collapse of carbon nanotubes due to local high-pressure from van der Waals encapsulation
期刊:Nature Communications
DOI:10.1038/s41467-024-47903-3

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