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?提高126倍!納米材料界的“神雕俠侶”,最新Matter!

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成果簡介
單層的二硫化鉬(MoS2)具有優異的二階非線性光學(NLO)敏感性,但由于其原子級薄度限制了其二次諧波產生(SHG)的效率。自然存在的2H-相MoS2可以提供更大的體積光學截面,但由于恢復的中心對稱性而對SHG無效。基于此,美國加州大學洛杉磯分校段鑲鋒教授和黃昱教授等人報道了一種溶液組裝的、厚度和面積可擴展的塊狀單層MoS2(BM-MoS2)薄膜,實現高效的SHG。通過有機分子層分隔的單層MoS2交替層,BM-MoS2保留了關鍵的單層性質,包括直接帶隙、強大的激子共振,以及重要的是,缺乏高效SHG所需的反轉對稱性。
在溶液組裝過程中,厘米級BM-MoS2由交替的單層MoS2和有機分子層組成,大大增強了線性和非線性光學過程中的光-物質耦合,可以防止層間耦合,從而在保持單層物理性質的同時實現增加的光學截面。SHG研究表明,BM-MoS2中的高效SHG比單層MoS2高出126倍,比砷化鎵(GaAs)高21倍,其中GaAs是已知塊體半導體中二階NLO敏感性最高的材料。BM-MoS2薄膜與高效SHG的便捷組裝為開發超薄、高效和經濟的NLO器件提供了可擴展的途徑。
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圖文解讀
BM-MoS2薄膜的制備涉及到溶液剝離過程,首先將原始的中心對稱的塊狀MoS2晶體轉化為非中心對稱的單層MoS2納米片,這些納米片被聚乙烯吡咯烷酮(PVP)等有機分子功能化。隨后將剝離的單層溶液組裝成可擴展的大面積BM-MoS2薄膜,其中單層MoS2納米片和有機分子層交替存在。在簡單反射襯底(Ag/Al2O3)上的BM-MoS2薄膜中,可實現優越的SHG效率,其中基波強烈耦合到NLO介質中。
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圖1. BM-MoS2薄膜結構與SHG
首先,利用插層-剝離工藝制備了單層MoS2油墨,并將其分散在異丙醇(IPA)中,與有機配體(PVP)結合后形成穩定且易于處理的油墨。然后,將單層MoS2油墨噴涂到選定的襯底上,形成大面積連續的BM-MoS2薄膜,其中PVP涂覆的單層MoS2垂直堆疊形成MoS2/PVP超晶格。原子力顯微鏡(AFM)圖像顯示,噴涂膜的厚度可定制到數百納米。X射線衍射(XRD)研究表明,(002)衍射峰向較低的衍射角偏移,層間周期為1.70 nm,大于原始2H相塊狀晶體0.63 nm的層間間距。
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圖2. BM-MoS2薄膜的制備與表征
激發功率依賴性研究表明,從BM-MoS2薄膜中得到的SHG信號強度隨泵送功率的增加呈二次型增長,與單層MoS2和單晶GaAs晶片相似,證實了SHG信號的非線性來源。對比單層MoS2,約30 nm厚BM-MoS2薄膜的SHG增強了126倍。同時,BM-MoS2薄膜的SHG強度是單晶GaAs晶片的21倍,在SHG波長390 nm處具有較大的SHG敏感性。在相同的激發波長下,BM-MoS2中觀察到的SHG增強(原始單層的126倍)高于多層3R相MoS2(比單層增加50倍)。
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圖3. SHG表征
厚度小于20 nm的BM-MoS2薄膜的SHG強度隨厚度增加呈超線性增長,對比相同襯底上的單層MoS2,重復單元數(N)為16層BM-MoS2薄膜(厚度28.2 nm)的SHG強度最大增強了235倍。BM-MoS2薄膜優越的SHG性能源于主要發生在NLO介質(即BM-MoS2)而不是襯底介質中的Fabry-Perot干涉,導致BM-MoS2薄膜和增強的泵送場之間的空間重疊改善,表明BM-MoS2薄膜具有易于調節的光學截面,比其單層對應物更不容易受到SHG襯底材料的影響,有利于NLO應用。
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圖4. 厚度依賴的SHG和電磁建模
文獻信息
Giant second harmonic generation in bulk monolayer MoS2 thin films. Matter, 2024, DOI: https://doi.org/10.1016/j.matt.2024.04.043.

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