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Nature Reviews Chemistry綜述:二維材料的插層帶來新興電子相轉移

Nature Reviews Chemistry綜述:二維材料的插層帶來新興電子相轉移
插層是誘導過渡金屬二硫屬化物 (TMDs) 相變的有力工具。然而,只有鋰離子 (Li+) 插入 MoS2或WS2誘導的半導體 2H(六方)相到金屬 1T(八面體或半金屬 1T′,扭曲八面體)相的轉變是眾所周知的。
康奈爾大學的 Judy J. Cha 領導的團隊在 ACS Nano 上撰文報道了在 1T′-MoTe2 中電化學 Li+ 插入過程中出現的新興相變,從而發現了兩個之前未報道過的電子相——輕度鋰化相 I 和重度鋰化相 II(ACS Nano 18, 17349–17358 (2024))。
來自卡爾加里大學研究人員,對該文章進行了點評, 相關文章以Ions go in and new phases appear》為題發表在《Nature Reviews Chemistry》期刊上,文章鏈接:https://doi.org/10.1038/s41570-024-00637-8。
Nature Reviews Chemistry綜述:二維材料的插層帶來新興電子相轉移
研究者在電化學微反應池(見圖中 b 部分)中進行了 Li+ 插入,其中 1T′-MoTe2 納米薄片作為陰極,一小片鋰金屬箔作為陽極,復雜的分子混合物作為電解質。電極和電解質被封裝在一個透明的盒子里,蓋玻片作為頂蓋,SiO2/Si 芯片作為底部基板。這樣的微電池不僅可以提供完整的電路來實現電化學插入,還可以進行原位電化學和光譜測試。
通過對制造的電化學電池進行恒電流放電實驗,他們觀察到了與初始 1T′ 相截然不同的新相(I 和 II)。當施加的插層電壓 (VEC)為 0.7 V 時,相 I 出現,其證據是拉曼光譜中 Ag 峰在 ~78 cm–1 處消失,峰在 ~85 cm–1 處出現。而當 VEC 為 0.4 V 時,相 II 出現,其特征是在 ~17、109 和 133 cm–1處出現了更多新的拉曼峰。
此外,他們利用原位單晶 X 射線衍射(XRD) 和原位透射電子顯微鏡 (TEM) 發現了新階段與原始 1T′ 階段之間原子結構的差異。XRD 圖案表明,與原始 1T′ 相相比,鋰化相的層 間距增大,而 TEM 圖像表明,這種變化是由于鋰化相的平面晶格對稱性變化引起的。
原位拉曼和XRD 數據也表明相變的可逆性——在去除施加的 VEC 后,鋰化 1T′-MoTe2 納米片恢復到其原始 1T′ 相。
為了研究不同相之間的電子特性差異,研究人員在 Li+ 插層過程中進行了兩端電流-電壓測量和原位霍爾測量(在施加恒定電流和磁場時進行的一系列電壓測量)。結果表明,與原始相相比,鋰化相 II(或鋰化相 I)的電阻顯著(或適度)增加,霍爾載流子密度降低,表明在鋰化相從半金屬轉變為半導體時,帶隙打開。
總的來說,這項工作在 1T′-MoTe2 中引入了兩種之前未報道過的相,這些相是由 Li+ 插入引起的。新相表現出與原始半金屬性質不同的半導體特性,開辟了該材料在半導體器件中的應用。
值得注意的是,前不久(5月16日),本文第一兼通訊作者-楊銳捷剛以第一作者身份在《Nature Reviews Chemistry》期刊上發表題目為《Intercalation in 2D materials and in-situ studies》的封面文章。下面對該文章進行簡短解讀。
Nature Reviews Chemistry綜述:二維材料的插層帶來新興電子相轉移
在 2004 年發現石墨烯后的短短幾年內,二維 (2D) 材料成為了材料研究的一個熱點領域。這些二維材料徹底改變了當前研究的許多方面,特別是在新興物理學、光電器件、催化、電池等領域。這些材料具有各向異性鍵合的特點——層內有強共價鍵,層間有弱的范德華 (vdW) 相互作用。這種各向異性的性質使得插層在二維材料中變得可行。這里,插層是指將外來物質(原子,離子,或分子)插入到2D材料層間或其vdW異質結構中。
原子離子和分子的插層是調整二維 (2D) 材料特性的有力工具使用此工具,二維材料的層間相互作用面內鍵合構型費米能級電子能帶結構和自旋軌道耦合等屬性可以得到有效的調控從而引起二維材料的光子電子光電子熱電磁性催化和能量存儲相關的性質變化這意味著插層是提升二維材料在當前和未來應用中的有力工具原位成像和光譜技術是可視化和追蹤插層過程的有效手段為破譯重要且常常難以捉摸的插層動力學插層化學力學,和插層機理提供了機會
北京時間2024516日,Nature Reviews Chemistry在線發表了題為Intercalation in 2D materials and in-situ studies的文章文章分析了二維材料的插層和原位研究。
Nature Reviews Chemistry綜述:二維材料的插層帶來新興電子相轉移
圖1 | 二維材料的插層概述和插層策略
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圖2 | 插層引起的協同效應和層間相互作用的改變
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圖3 | 插層引起的面內鍵合的重建
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圖4 | 插層引起的費米能級和電子能帶結構的變化以及自旋軌道效應和晶格參數的調變
Nature Reviews Chemistry綜述:二維材料的插層帶來新興電子相轉移
圖5 | 電化學插層原位研究的平臺設計
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圖6 | 電化學插層的原位成像研究
參考文獻
[1] R. Yang et al, Nat. Rev. Chem., (2024) https://doi.org/10.1038/s41570-024-00637-8.
[2] R. Yang et al, Nat. Rev. Chem., 8 (2024) 410-432.
[3] R. Yang et al, Nat. Synth., 2 (2023) 101-118.
[4] R. Yang et al, Nat. Protoc., 18 (2023) 555–578.
[5] R. Yang et al, Nat. Protoc., 17 (2022) 358-377.

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