基于此，2024年7月30日，清華大學(xué)材料學(xué)院院長(zhǎng)林元華在國(guó)際期刊Advanced Functional Materials發(fā)表題為《Design of High-Entropy Relaxor Ferroelectrics for Comprehensive Energy Storage Enhancement》的研究論文。
圖2 熵調(diào)制膜的擊穿場(chǎng)和漏電流機(jī)制分析在這項(xiàng)工作中，作者利用熵策略構(gòu)建了一種將非晶相嵌入多晶納米晶中的結(jié)構(gòu)，從而提高了載流子的傳輸勢(shì)壘。因此，磁滯損耗在高電場(chǎng)下被極大地抑制，并且高熵膜中的高極化仍然被保持。圖3?熵調(diào)制膜的能量存儲(chǔ)和介電性能因此，在基于高熵Ba2Bi4Ti5O18的弛豫鐵電體中，同時(shí)實(shí)現(xiàn)了139.5 J cm?3的超高能量密度、87.9%的高效率和1153的高品質(zhì)因數(shù)。本工作為先進(jìn)的高功率儲(chǔ)能應(yīng)用的材料結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)提供了一條有前途的途徑。文獻(xiàn)信息：Design of High-Entropy Relaxor Ferroelectrics for Comprehensive Energy Storage Enhancement., 2024.
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