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研究背景

過(guò)渡金屬二硫化物（TMDs）是具有潛在高遷移率和強(qiáng)自旋-軌道耦合的半導(dǎo)體材料，因其在低溫下的優(yōu)異電子特性而成為研究熱點(diǎn)。然而，創(chuàng)建穩(wěn)健的歐姆接觸以實(shí)現(xiàn)低溫下的有效電流傳輸仍然是一個(gè)重大挑戰(zhàn)。這一問(wèn)題限制了在接近量子極限時(shí)探測(cè)電子關(guān)聯(lián)現(xiàn)象，尤其是分?jǐn)?shù)量子霍爾（FQH）態(tài)的研究。

成果簡(jiǎn)介

為了解決這一挑戰(zhàn)，遼寧材料實(shí)驗(yàn)室/山西大學(xué)韓拯團(tuán)隊(duì)、張靖；北京大學(xué)路建明、香港科技大學(xué)王寧以及哥倫比亞大學(xué)Nicolas Regnault等多家單位攜手在Nature Electronics期刊上發(fā)表了題為“Fractional quantum Hall phases in high-mobility n-type molybdenum disulfide transistors”的最新論文。研究人員采用了窗口接觸技術(shù)，成功為n型二硫化鉬（MoS?）創(chuàng)建了有效的歐姆接觸，溫度范圍從毫開爾文到300K。

本文通過(guò)這種方法，研究者觀察到了超過(guò)100,000 cm2 V?1 s?1的場(chǎng)效應(yīng)遷移率和超過(guò)3,000 cm2 V?1 s?1的量子遷移率，這在低溫下為探測(cè)FQH態(tài)提供了必要條件。此外，在高達(dá)34 T的強(qiáng)磁場(chǎng)下，研究團(tuán)隊(duì)還在雙層MoS?中探測(cè)到了填充分?jǐn)?shù)為4/5和2/5的FQH態(tài)。

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值得注意的是，不久前，韓拯教授課題組與中國(guó)科學(xué)院金屬研究所李秀艷課題組、遼寧材料實(shí)驗(yàn)室王漢文課題組、中山大學(xué)侯仰龍課題組、中國(guó)科學(xué)院大學(xué)周武課題組等合作，提出了一種全新的基于界面耦合（理論表明量子效應(yīng)在其中起到關(guān)鍵作用）的p-摻雜二維半導(dǎo)體方法。該研究成果以“Van der Waals polarity-engineered 3D integration of 2D complementary logic”為題，于5月29日在國(guó)際頂級(jí)學(xué)術(shù)期刊Nature在線發(fā)表，引起了不小的關(guān)注。

研究亮點(diǎn)

（1）實(shí)驗(yàn)首次通過(guò)窗口接觸技術(shù)成功為n型二硫化鉬（MoS?）創(chuàng)建了穩(wěn)健的歐姆接觸，溫度范圍從毫開爾文到300K。通過(guò)這一技術(shù)，研究團(tuán)隊(duì)觀察到在低溫下的場(chǎng)效應(yīng)遷移率超過(guò)100,000 cm2 V?1 s?1，量子遷移率超過(guò)3,000 cm2 V?1 s?1。

（2）實(shí)驗(yàn)通過(guò)高達(dá)34 T的強(qiáng)磁場(chǎng)和300 mK的低溫條件，對(duì)雙層MoS?進(jìn)行了電傳輸測(cè)量，成功探測(cè)到分?jǐn)?shù)量子霍爾態(tài)，具體填充分?jǐn)?shù)為4/5和2/5。這些結(jié)果表明，在最低蘭道能級(jí)中實(shí)現(xiàn)了可觀察的分?jǐn)?shù)量子化現(xiàn)象，為探索TMD材料中電子相互作用的機(jī)制提供了新的實(shí)驗(yàn)依據(jù)。

圖文解讀

圖1: 窗口接觸MoS2晶體管的特性。

圖2: 在單粒子體系中，雙層MoS2的電輸運(yùn)。

圖3: 在導(dǎo)帶最低朗道能級(jí)Landau levels，LL中，雙層MoS的分?jǐn)?shù)量子霍爾fractional quantum Hall，F(xiàn)QH態(tài)。

圖4: 篩分效應(yīng)的數(shù)值研究。

結(jié)論展望

本文的研究展示了低載流子密度雙層MoS?中實(shí)現(xiàn)高遷移率歐姆接觸的潛力，尤其是在極低溫和強(qiáng)磁場(chǎng)下的電傳輸特性。這一發(fā)現(xiàn)為拓?fù)淞孔踊魻栂嗟膽?yīng)用奠定了基礎(chǔ)，尤其是在實(shí)現(xiàn)分?jǐn)?shù)量子化霍爾效應(yīng)方面。

研究表明，通過(guò)優(yōu)化設(shè)備的制造技術(shù)，能夠獲得超高的場(chǎng)效應(yīng)遷移率和量子遷移率，這將推動(dòng)TMD材料在電子學(xué)和量子計(jì)算領(lǐng)域的應(yīng)用。此外，使用范德華層狀材料的創(chuàng)新方法，增強(qiáng)了對(duì)電子相互作用和量子態(tài)的調(diào)控能力，這為進(jìn)一步探索層間耦合、庫(kù)侖拖曳和低溫高電子遷移率晶體管提供了新思路。

這些成果不僅促進(jìn)了對(duì)TMD異質(zhì)結(jié)構(gòu)的低密度傳輸實(shí)驗(yàn)的理解，還有助于開發(fā)新型的量子器件，從而推動(dòng)下一代電子器件的研究與應(yīng)用。因此，本研究為材料科學(xué)、量子物理及其實(shí)際應(yīng)用提供了重要的科學(xué)啟迪，指引了未來(lái)相關(guān)領(lǐng)域的研究方向。

文獻(xiàn)信息

Zhao, S., Huang, J., Crépel, V. et al. Fractional quantum Hall phases in high-mobility n-type molybdenum disulfide transistors. Nat Electron (2024).

原創(chuàng)文章，作者：zhan1，如若轉(zhuǎn)載，請(qǐng)注明來(lái)源華算科技，注明出處：http://www.zzhhcy.com/index.php/2024/11/06/32171f854c/

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